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DS1345 1024k非易失(NV) SRAM

　　DS1345 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，...

2010-10-22 标签：非易失 DS1345 非易失 1035

DS1646是一个128K的× 8非易失性与全功能实时时钟

　　DS1646是一个128K的× 8非易失性与全功能实时时钟，都在一个字节宽的格式访问静态RAM。非易失性RAM是计时功能等同于...

2010-10-22 标签：非易失 DS1646 非易失 1041

DS1647为512k x 8非易失性静态RAM

　　DS1647为512k x 8非易失性静态RAM，包括一个完备的实时时钟，两者均以字节宽度格式访问。非易失性时间保持RAM功能等...

2010-10-22 标签：非易失 DS1647 非易失 1364

DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM

　　DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM为1,048,576位、全静态非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控...

2010-10-21 标签：SR DS1345W SR 1107

DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM

　　DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电...

2010-10-21 标签：非易 DS1350W 非易 1022

DS1350 4096k非易失(NV) SRAM

　　DS1350 4096k非易失(NV) SRAM为4,194,304位、全静态NV SRAM，...

2010-10-21 标签：非易失 DS1350 非易失 995

DS9034PCX PowerCap的设计

　　该DS9034PCX PowerCap的设计是一个在达拉斯半导体非易失时钟RAM的锂动力源的直接表面贴装PowerCap模块(PCM)封装。经过PowerCap模块板焊接已经到位并清洗，DS9034PCX PowerCap是放置在PCM...

2010-10-21 标签：DS9034PCX 1344

DS1220Y 16k非易失SRAM

　　DS1220Y 16k非易失SRAM为16,384位、全静态非易失RAM，按照8位、2048字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路...

2010-10-20 标签：非易 DS1220Y 非易 1264

铁电存储器的技术特点分析

如图1所示，电子电能表的基本架构包括下列各主要功能模块：电压电流取样电路；16位以上分辨率的ADC；计量与控制单元；通信接口；操作界面；显示器；存储器。本文将以存储器...

2010-10-18 标签：铁电存储器 2001

基于浮栅技术的闪存

　　恒忆闪存基于浮栅技术。闪存晶体管的绝缘栅极(浮栅)捕获(或排除)电子，因此，晶体管的阈值电压被修改(偏离原始...

2010-10-18 标签：闪存浮栅技术闪存 1792

磁盘阵列消除系统管理程序的存储压力

专用磁盘阵列，例如IBM的XIV及其他产品，会执行那些原本得由操作系统或系统管理程序执行的功能。而原先的做法则会给虚拟平台造成额外压力。...

2010-10-17 标签：存储磁盘阵列 1177

FPGA中SPI Flash存储器的复用编程方法的实现

SPI(Serial Peripheral Interface，串行外围设备接口)是一种高速、全双工、同步的通信总线，在芯片的引脚上只占用4根线，不仅...

2010-10-13 标签：FPGA SPI Flash存储器 5108

GIS数据库系统中OCI的应用

　　O 引言　　Oracle凭借其优越的稳定性和卓越的性能在众多领域里有着广泛的应用。高性能是Oracle优...

2010-10-13 标签：GIS OCI 1044

DS2433 4K位1-Wire® EEPROM

　　DS2433是一款4K位1-Wire® EEPROM，用于识别和存储与产品相关的信息。这个标签或特殊产品信息可以通过最少的...

2010-10-13 标签：DS2433 EEP 2608

为何电子式电能表需要使用铁电存储器(F-RAM)

　　自从1889年匈牙利工程师 Otto Blathy 发明全世界第一个电能表 (瓦特瓦时表)原型之后，电能表经过一个世纪多的演进：由机械式电表到今日的各种不同型式的电子电能表，包含新...

2010-10-11 标签：电能表铁电存储器 2151

重复数据删除技术分析及分类

重复数据删除也称为智能压缩或单一实例存储，是一种可自动搜索重复...

2010-10-10 标签： 925

基于SDRAM文件结构存储方式的数据缓存系统

　　O 引言　　面对不同的应用场景，原始采样数据可能包含多种不同样式的信号，这给传统基于连续存储方式的数据缓存系统带来了挑战。除此之外，由于对不同信...

2010-10-08 标签：SDRAM 数据缓存 1304

Farichild降压转换器有效为高容量SD快闪存储器应用

Farichild降压转换器有效为高容量SD快闪存储器应用供电 FAN5362提供优化控制功能，适合低电量运作由于拥有...

2010-09-30 标签：降压转换器 1001

非易失性SRAM DS1747

　　DS1747是功能完备、2000年兼容(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用户可通过如图1所示的单字节宽...

2010-09-28 标签：sram 非易失性 1223

MAX72420 背板和存储管理控制器

MAX72420 背板和存储管理控制器概述 The MAX72420 is a highly integrated management device intended to provide a cost-effective solution for baseboard, storage, or embedded system management. Th...

2010-09-22 标签：存储管理 1065

全球读写速度最快的存储卡SDHC UHS-I

　　新型SDHC UHS-I存储卡是全世界首款完全符合SD 3.0--UHS104标准的存储卡，其将NAND闪存卡超快的读取和写入速度提升到了一个新台阶：最大读取速度达每秒95MB，写入速度达每秒80MB...

2010-09-13 标签：存储卡 SDHC U 存储卡 4156

存储器数据的软误差率(SER)问题

　　软误差率(SER)问题是于上个世纪70年代后期作为一项存储器数据课题而受到人们的广泛关注的，当时DRAM开始呈现出随机故障的征兆。随着工艺几何尺寸的不断缩小，引起失调所...

2010-08-31 标签：存储器 se 存储器软误差 2266

非易失性存储器FeRAM、MRAM和OUM

　　本文对目前几种比较有竞争力和发展潜力的新型非易失性存储器做了一个简单的介绍。　　铁电存储器(FeRAM) 　　铁电存储器是一种在断电时不会丢失内容的非易...

2010-08-31 标签：FE 2237

高存储密度的DDR3解决方案--AGIGARAM非易失性产品

AGIGARAM非易失性产品系列中的这一新解决方案可提供高达8GB的存储密度，从而为系统架构师和设计者提供了充分的灵活性，可以专为某些特定应用需求量身定制非易失性存储器。AgigA...

2010-08-20 标签：DDR3 DDR3 存储密度 783

JEDEC发布DDR3存储器标准的DDR3L规范

JEDEC 固态技术协会，微电子产业标准全球领导制定机构，今天宣布正式发布JEDEC DDR3L规范。这是广受期待的DDR3存储器标准JESD79-3 的附件。这是DDR3作为当今DRAM主导性标准演变的继续...

2010-08-05 标签：DDR3 JEDEC 3735

SRAM特点及工作原理

　　SRAM是英文Static RAM的缩写，它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据. 　　基本简介　　SRAM不需要刷新电路即能保存它内部...

2010-08-02 标签：sram 5468

基于SRAM工艺FPGA的保密性问题

在现代电子系统设计中，由于可编程逻辑器件的卓越性能、灵活方便的可升级特性，而得到了广泛的应用。由于大规模高密度可编程逻辑器件多采用SRAM工艺，要求每次上电，对FPGA器...

2010-08-02 标签：FPGA sram 1708

2010年底JEDEC将公布UFS标准作为下一代的闪存存储规

JEDEC 固态技术协会，微电子产业全球领导标准制定机构，选择性公布了受到广泛期待的UFS的主要特性。预计2010年晚些时候发布的UFS标准是下一代的闪存存储规范，旨在为用...

2010-07-01 标签：JED UFS标准 698

6 Gb/s SATA和SAS JBOD存储设备

LSI公司宣布面向渠道客户推出两款机架优化的 6Gb/s SATA 和 SAS JBOD 存储设备，旨在帮助各大企业经济有效地应对不断增长的数据量和日新月异的存储需求。LSI™ 620J 和 630J 型存储...

2010-06-07 标签：SATA JBOD SATA 1648

高性能20纳米级NAND闪存存储器

高性能20纳米级NAND闪存存储器 SAMSUNG电子有限公司推出业界首个20纳米级(nm) NAND芯片，用于安全数字(SD)存储器卡和嵌入式存储解决方案中。32...

2010-05-17 标签：NAND 20纳米 NAND 1191

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