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• 发布了产品 2022-07-14 17:27

  PXAD184218FV-V1 大功率射频 LDMOS FET 420 W CREE

  

  产品型号：PXAD184218FV-V1 峰值 P1dB：290 W 典型值 P3dB 时的输出功：420 W 效率： 62%

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• 发布了产品 2022-07-14 17:16

  PXAE213708NB-V1 LDMOS Doherty 晶体管 CREE

  

  产品型号：PXAE213708NB-V1 主 P3dB ：160 W Typ 峰值 P3dB典型值：290 W 典型的脉冲连续波性能：2180兆赫

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• 发布了产品 2022-07-14 17:06

  PXAE183708NB-V1 大功率射频 LDMOS FET 320 W CREE

  

  产品型号：PXAE183708NB-V1 峰值 P3dB：315 W 典型值 P1dB 时的输出功：320 W P3dB 时的输出功：430 W

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• 发布了产品 2022-07-14 16:57

  PXFC191507FC-V1 大功率射频 LDMOS FET 150 W

  

  产品型号：PXFC191507FC-V1 典型的脉冲连续波性能：1990 兆赫 输出功率：P1dB = 140 W 效率：54%

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• 发布了产品 2022-07-14 16:49

  PXFE211507FC-V1 大功率射频 LDMOS FET

  

  产品型号：PXFE211507FC-V1 典型的脉冲连续波性能：2140兆赫 P1dB时的输出功率：172W P3dB输出功率：208 W

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• 发布了产品 2022-07-14 16:37

  WSGPA01-V1 GaN on SiC 分立通用放大器 (GPA)

  

  产品型号：WSGPA01-V1 工作频率：：高达 5 GHz P3dB：：高达 10 W 电源电压：：高达 50 V

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• 发布了产品 2022-07-14 16:03

  PTFC210202FC-V1 大功率射频 LDMOS FET

  

  产品型号：PTFC210202FC-V1 典型的连续波性能：2170兆赫 组合输出：：P1dB = 28 W 时的输出功率 增益：20.9 分贝

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• 发布了产品 2022-07-14 15:42

  PTAC210802FC-V1高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：PTAC210802FC-V1 典型的脉冲连续波性能：2170兆赫 输出功率： P3dB 75 W 效率 ：48 %

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• 发布了产品 2022-07-14 15:28

  GTVA355001EC氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：GTVA355001EC 脉冲宽度：300 μs 占空比：10% 输出功率：P3dB = 500 W

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• 发布了产品 2022-07-14 14:41

  GTVA220701FA-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：GTVA220701FA-V1 输出功率：P3dB 45 W 效率： 60.7% 增益： 21.6 分贝

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