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• 发布了产品 2022-06-17 16:48

  XC7A75T-2FGG484I FPGA可编程逻辑器件XILINX/赛灵思

  

  产品型号：XC7A75T-2FGG484I 封装：FCBGA-484 逻辑元件数量：75520 电压 - 供电：0.95V ~ 1.05V

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• 发布了产品 2022-06-17 16:19

  XC7A35T-2FGG484I FPGA可编程逻辑器件XILINX/赛灵思

  

  产品型号：XC7A35T-2FGG484I 封装：FCBGA-484 逻辑元件数量：33280 数据速率：6.25 Gb/s

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• 发布了产品 2022-06-17 10:35

  STM32L433RCT6集成电路（IC）嵌入式 - 微控制器 ST

  

  产品型号：STM32L433RCT6 功耗：：超低功耗微控制器 工作频率：：80 MHz 电压 - 供电 (V：1.71V ~ 3.6V

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• 发布了产品 2022-06-17 10:14

  STM32L433CCU6集成电路（IC）嵌入式 - 微控制器 ST

  

  产品型号：STM32L433CCU6 功耗：：超低功耗微控制器 工作频率：：80 MHz 电压 - 供电 (V：1.71V ~ 3.6V

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• 发布了产品 2022-06-16 17:11

  CGHV35060MP 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：CGHV35060MP 典型输出功率：75W 功率增益：14.5分贝 排水效率：67%

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• 发布了产品 2022-06-16 16:56

  CGHV35400F-AMP氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板

  

  产品型号：CGHV35400F-AMP 操作频率：2.9 – 3.5 GHz 典型输出功率：500 W 功率增益：11分贝

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• 发布了产品 2022-06-16 16:54

  CGHV35400F1氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：CGHV35400F1 操作频率：2.9 – 3.5 GHz 典型输出功率：500 W 功率增益：11分贝

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• 发布了产品 2022-06-16 16:52

  CGHV35400F氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：CGHV35400F 操作频率：2.9 – 3.5 GHz 典型输出功率：500 W 功率增益：11分贝

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• 发布了产品 2022-06-16 16:39

  CGHV35150F-AMP 高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板

  

  产品型号：CGHV35150F-AMP 额定功率 ：150 W @ TCASE = 85°C 工作频率：2.9 – 3.5 GHz 瞬态占比： 100 μsec – 300 μsec @ 20%

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• 发布了产品 2022-06-16 16:37

  CGHV35150F 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：CGHV35150F 额定功率：150 W 工作频率 ：2.9 – 3.5 GHz 瞬态占比： 100 μsec – 300 μsec @ 20%

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