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• 发布了产品 2022-06-14 11:32

  CGH55030P1 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：CGH55030P1 瞬时带宽：300 MHz 瞬时带宽 峰值功率能力：30 W 峰值功率能力 增益：10 dB 小信号增益

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• 发布了产品 2022-06-14 11:30

  CGH55030F1 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：CGH55030F1 瞬时带宽：300 MHz 瞬时带宽 峰值功率能力：30 W 峰值功率能力 增益：10 dB 小信号增益

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• 发布了产品 2022-06-14 11:02

  CGH40180PP-AMP 高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板

  

  产品型号：CGH40180PP-AMP 频率：高达 2.5 GHz 的操作 增益：1.0 GHz 时 20 dB 小信号增益 增益：2.0 GHz 时 15 dB 小信号增益

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• 发布了产品 2022-06-14 10:58

  CGH40180PP 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：CGH40180PP 频率：高达 2.5 GHz 的操作 增益：1.0 GHz 时 20 dB 小信号增益 增益：2.0 GHz 时 15 dB 小信号增益

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• 发布了产品 2022-06-14 10:21

  CGH40120F-AMP 高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板

  

  产品型号：CGH40120F-AMP 频率：高达 2.5 GHz 的操作 增益：1.0 GHz 时 20 dB 小信号增益 增益：2.0 GHz 时 15 dB 小信号增益

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• 发布了产品 2022-06-13 10:22

  CGH40120F 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：CGH40120F 频率：高达 2.5 GHz 的操作 增益：1.0 GHz 时 20 dB 小信号增益 增益：2.0 GHz 时 15 dB 小信号增益

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• 发布了产品 2022-06-13 10:19

  CGH40120P高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：CGH40120P 频率：高达 2.5 GHz 的操作 增益：1.0 GHz 时 20 dB 小信号增益 增益：2.0 GHz 时 15 dB 小信号增益

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• 发布了产品 2022-06-11 21:13

  FRDMGD3160XM3EVM栅极驱动板

  

  产品型号：FRDMGD3160XM3EVM 漏源电压：1700 V 电源电压：16 V 输入信号电压高：5 V

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• 发布了产品 2022-06-11 21:10

  CGD12HBXMP栅极驱动板

  

  产品型号：CGD12HBXMP 漏源电压：1700 V 电源电压：16 V 输入信号电压高：5 V

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• 发布了产品 2022-06-11 21:02

  CGD15SG00D2栅极驱动板

  

  产品型号：CGD15SG00D2 漏源电压：1700 V 电源电压：16 V 输入信号电压高：5 V

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