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• 发布了产品 2022-05-25 09:33

  CG2H80060D-GP4高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：CG2H80060D-GP4 PSAT功率：60 W 典型 PSAT 操作电压：28 伏操作 电压：高击穿电压

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• 发布了产品 2022-05-24 22:35

  C3M0160120J碳化硅MOSFET

  

  产品型号：C3M0160120J 漏源电压：1200V 栅极-源极电压动态：-8/+19V 栅极-源极电压静态：-4/+15V

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• 发布了产品 2022-05-24 22:27

  C2M0080120D碳化硅MOSFET

  

  产品型号：C2M0080120D 漏源电压：1200V 栅极-源极电压：-10/+25V 脉冲漏极电流：80A

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• 发布了产品 2022-05-24 22:20

  C3M0075120K碳化硅MOSFET

  

  产品型号：C3M0075120K 漏源电压：1200V 栅极-源极电压动态：-8/+19 栅极-源极电压静态：-4/+15

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• 发布了产品 2022-05-24 22:14

  C3M0075120J碳化硅MOSFET

  

  产品型号：C3M0075120J 漏源电压：1200V 栅极-源极电压动态：-8/+19 栅极-源极电压静态：-4/+15

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• 发布了产品 2022-05-24 22:08

  C3M0075120D碳化硅MOSFET

  

  产品型号：C3M0075120D 漏源电压：1200V 栅极-源极电压动态：-8/+19 栅极-源极电压静态：-4/+15

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• 发布了产品 2022-05-24 21:59

  E3M0075120D碳化硅MOSFET

  

  产品型号：E3M0075120D 漏源电压：1200V 栅极 -源极电压：-8/+19V 脉冲漏极电流：80A

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• 发布了产品 2022-05-24 21:52

  E3M0075120K碳化硅MOSFET

  

  产品型号：E3M0075120K 漏源电压：1200V 栅极 -源极电压：-8/+19V 脉冲漏极电流：80A

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• 发布了产品 2022-05-24 21:43

  C3M0075120K-A碳化硅MOSFET

  

  产品型号：C3M0075120K-A 漏源电压：1200V 栅极 -源极电压动态：-8/+19V 栅极 -源极电压静态：4/+15V

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• 发布了产品 2022-05-24 21:35

  C3M0075120D-A碳化硅MOSFET

  

  产品型号：C3M0075120D-A 漏源电压：1200V 栅极 -源极电压动态：-8/+19V 栅极 -源极电压静态：4/+15V

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