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• 发布了产品 2022-05-23 21:15

  C3M0016120D碳化硅MOSFET

  

  产品型号：C3M0016120D 漏源电压：1200V 栅极 -源极电压静态：-4/+15V 栅极 -源极电压动态：-8/+19V

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• 发布了产品 2022-05-23 21:05

  C3M0120100K碳化硅MOSFET

  

  产品型号：C3M0120100K 漏源电压：1000V 栅极 -源极电压静态：-4/+15V 栅极 -源极电压动态：-8/+19V

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• 发布了产品 2022-05-23 20:57

  C3M0120100J碳化硅MOSFET

  

  产品型号：C3M0120100J 漏源电压：1000V 栅极 -源极电压静态：-4/+15V 栅极 -源极电压动态：-8/+19V

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• 发布了产品 2022-05-23 18:20

  C3M0065100K碳化硅MOSFET

  

  产品型号：C3M0065100K 漏源电压：1000V 栅极 -源极电压静态：-4/+15V 栅极 -源极电压动态：-8/+19V

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• 发布了产品 2022-05-23 14:45

  CG2H40035F-AMP 高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板

  

  产品型号：CG2H40035F-AMP 频率：高达 6 GHz 的操作 PSAT功率：40 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 的效率为 64%

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• 发布了产品 2022-05-23 14:42

  CG2H40035F 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：CG2H40035F 频率：高达 6 GHz 的操作 PSAT功率：40 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 的效率为 64%

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• 发布了产品 2022-05-23 14:36

  CG2H40035P高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：CG2H40035P 频率：高达 6 GHz 的操作 PSAT功率：40 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 的效率为 64%

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• 发布了产品 2022-05-22 22:19

  C3M0065100J碳化硅MOSFET

  

  产品型号：C3M0065100J 漏源电压：1000V 栅极 -源极电压静态：-4/+15V 栅极 -源极电压动态：-8/+19V

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• 发布了产品 2022-05-22 21:45

  C3M0280090J碳化硅MOSFET

  

  产品型号：C3M0280090J 漏源电压：900V 栅极 -源极电压静态：-4/+15V 栅极 -源极电压动态：-8/+19V

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• 发布了产品 2022-05-22 21:36

  C3M0120090D碳化硅MOSFET

  

  产品型号：C3M0120090D 漏源电压：900V 栅极 -源极电压静态：-4/+15V 栅极 -源极电压动态：-8/+19V

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