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• 发布了产品 2022-05-31 20:51

  C6D10065A分立碳化硅肖特基二极管

  

  产品型号：C6D10065A 重复峰值反向电压：650V 直流阻断电压：650V 最大持续电流：10A

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• 发布了产品 2022-05-31 20:40

  C6D10065E分立碳化硅肖特基二极管

  

  产品型号：C6D10065E 重复峰值反向电压：650V 浪涌峰值反向电压：650V 直流阻断电压：650V

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• 发布了产品 2022-05-31 20:32

  C3D10065A

  

  产品型号：C3D10065A 重复峰值反向电压：650V 浪涌峰值反向电压：650V 直流阻断电压：650V

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• 发布了产品 2022-05-31 20:25

  C3D10065E分立碳化硅肖特基二极管

  

  产品型号：C3D10065E 重复峰值反向电压：650V 浪涌峰值反向电压：650V 直流阻断电压：650V

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• 发布了产品 2022-05-31 20:16

  C6D10065G分立碳化硅肖特基二极管

  

  产品型号：C6D10065G 重复峰值反向电压：650V 直流阻断电压：650V 最大持续电流：10A

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• 发布了产品 2022-05-31 20:02

  C6D10065Q分立碳化硅肖特基二极管

  

  产品型号：C6D10065Q 重复峰值反向电压：650V 直流阻断电压：650V 电容储能：5.2µJ

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• 发布了产品 2022-05-30 11:12

  CGH35240F高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：CGH35240F 频率：3.1 – 3.5 GHz 操作 输出功率：240 W 典型输出功率 功率增益：11.6 dB 功率增益在 PIN = 42.0 dBm

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• 发布了产品 2022-05-30 11:03

  CGH35060P2 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：CGH35060P2 频率：3.1 – 3.5 GHz 操作 峰值功率：60 W 峰值功率能力 增益：12 dB 小信号增益

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• 发布了产品 2022-05-30 10:41

  CGH35060P1 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：CGH35060P1 频率：3.3 – 3.6 GHz 操作 峰值功率：60 W 峰值功率能力 增益：12 dB 小信号增益

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• 发布了产品 2022-05-30 10:20

  CGH35015P 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：CGH35015P 频率：3.3 – 3.9 GHz 操作 峰值功率：15 W 峰值功率能力 增益：12 dB 小信号增益

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