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• 发布了产品 2022-05-25 21:08

  C3M0160120D碳化硅MOSFET

  

  产品型号：C3M0160120D 漏源电压：1200V 栅极-源极电压动态：-8/+19V 栅极-源极电压动态:：-4/+15V

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• 发布了产品 2022-05-25 10:57

  CGH27030S-AMP1氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板

  

  产品型号：CGH27030S-AMP1 操作频率：VHF – 3.0 GHz 操作 峰值功率能力：30 W 峰值功率能力 小信号增益：> 15 dB 小信号增益

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• 发布了产品 2022-05-25 10:56

  CGH27030S氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：CGH27030S 操作频率：VHF – 3.0 GHz 操作 峰值功率能力：30 W 峰值功率能力 小信号增益：> 15 dB 小信号增益

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• 发布了产品 2022-05-25 10:54

  CGH27030P高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：CGH27030P 操作频率：VHF – 3.0 GHz 操作 峰值功率能力：30 W 峰值功率能力 小信号增益：> 15 dB 小信号增益

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• 发布了产品 2022-05-25 10:45

  CGH25120F高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：CGH25120F 频率：2.3 – 2.7 GHz 操作 增益：13分贝增益 PAVE功率：20 W PAVE 时 -32 dBc ACLR

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• 发布了产品 2022-05-25 10:32

  CGH21240F-AMP高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板

  

  产品型号：CGH21240F-AMP 频率：1.8 – 2.3 GHz 操作 增益：15分贝增益 PAVE功率：40 W PAVE 时 -35 dBc ACLR

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• 发布了产品 2022-05-25 10:30

  CGH21240F氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：CGH21240F 频率：1.8 – 2.3 GHz 操作 增益：15分贝增益 功率：40 W PAVE 时 -35 dBc ACLR

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• 发布了产品 2022-05-25 10:16

  CGH21120F-AMP高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板

  

  产品型号：CGH21120F-AMP 频率：1.8 – 2.3 GHz 操作 增益：15分贝增益 功率：-35 dBc ACLR，20 W PAVE

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• 发布了产品 2022-05-25 10:13

  CGH21120F高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：CGH21120F 频率：1.8 – 2.3 GHz 操作 增益：15分贝增益 功率：-35 dBc ACLR，20 W PAVE

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• 发布了产品 2022-05-25 10:00

  CGH09120F高电子迁移率晶体管 (HEMT)

  

  产品型号：CGH09120F 频率：UHF – 2.5 GHz 操作 增益：21分贝增益 功率：-38 dBc ACLR，20 W PAVE

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