英飞凌科技（中国）有限公司-企业号-电子发烧友网

发布了文章 2023-12-09 08:14

感应加热原理与IGBT应用拓扑分析（上）

经常遇到很多同事和朋友问：为什么电磁炉和电饭煲要用到IGBT，这种应用的IGBT需要有什么特点？今天我们就给大家详细解释感应加热的原理和感应加热的拓扑分析。在理解电磁感应加热的原理之前，先问自己一个问题，假如这个世界上没有电磁炉，你要烧开一锅水，会怎么做？最常见的方式，就是点燃炉灶，把锅架在火上。图1.传统燃气加热然而这种方法是间接的加热方式，先由热源加热锅

IGBT 感应加热电磁

819浏览量

上传了资料 2023-12-06 11:56

IGBT单管数据手册参数解析（下）

IGBT

0次下载

上传了资料 2023-12-06 11:54

IGBT单管数据手册参数解析(上)

IGBT

0次下载

发布了文章 2023-12-02 08:14

英飞凌推出全新62mm封装CoolSiC产品组合，助力实现更高效率和功率密度

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用新推出的增强型M1H碳化硅（SiC）MOSFET芯片，采用成熟的62mm封装的半桥模块。该封装使SiCMOSFET能够应用于250kW以上的中等功率等级应用，而传统IGBT硅技术在这一功率等级应

SiC 封装英飞凌

571浏览量

发布了文章 2023-12-01 08:14

英飞凌EiceDRIVER™技术以及应对SiC MOSFET驱动的挑战

碳化硅MOSFET导通损耗低，开关速度快，dv/dt高，短路时间小，对驱动电压的选择、驱动参数配置及短路响应时间都提出了更高的要求。英飞凌零碳工业功率事业部产品工程师郑姿清女士，在2023IPAC英飞凌工业功率技术大会上，发表了《英飞凌EiceDRIVER技术以及应对SiCMOSFET驱动的挑战》的演讲，详细剖析了SiCMOSFET对驱动芯片的需求，以及我们

MOSFET SiC 英飞凌驱动

819浏览量

发布了文章 2023-11-28 08:13

增强型M1H CoolSiC MOSFET的技术解析及可靠性考量

碳化硅MOSFET在材料与器件特性上不同于传统硅，如何保证性能和可靠性的平衡是所有厂家需要面对的首要问题，英飞凌作为业界为数不多的采用沟槽栅做SiCMOSFET的企业，如何使用创新的非对称沟槽栅既解决栅极氧化层的可靠性问题、又提高了SiCMOSFET的性能?增强型M1HCoolSiC芯片又“强“在哪里？英飞凌零碳工业功率事业部高级工程师赵佳女士，在2023英

MOSFET SiC 碳化硅

758浏览量

发布了文章 2023-11-21 08:14

英飞凌推出面向高能效电源应用的分立式650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7新品

英飞凌科技推出分立式650VIGBT7H7新品，进一步扩展其TRENCHSTOPIGBT7产品阵容。全新器件配新一代发射极控制的EC7续流二极管，以满足对环保和高效电源解决方案日益增长的需求。TRENCHSTOPIGBT7H7采用最新型微沟槽栅技术，具有出色的控制和性能，能够大幅降低损耗，提高效率和功率密度。因此，该半导体器件适合用于各种应用，如组串式逆变器

IGBT 电源英飞凌

499浏览量

发布了文章 2023-11-19 08:13

英领绿色能源｜产学联动，探讨实现“双碳”更优解

作为全球功率半导体的市场领导者英飞凌推出“英飞凌绿色能源”系列线上圆桌11月21日第一期上线现在开约！双碳，一个持续热门的话题，可谓宏大而复杂。为了理清该领域的最新发展逻辑，从产业宏观和底层科技综合视角来探讨实现“双碳”目标的更快路径，2023年尾声，英飞凌推出“英飞凌绿色能源”系列线上圆桌直播活动，结合产业热点，打造业界独家栏目！在这档栏目中，通过研究“双

功率半导体能源英飞凌

599浏览量

发布了文章 2023-11-17 08:14

产学联动，探讨实现“双碳”更优解

作为全球功率半导体的市场领导者英飞凌推出“英飞凌绿色能源”系列线上圆桌11月21日（下周二）第一期上线现在开约！双碳，一个持续热门的话题，可谓宏大而复杂。为了理清该领域的最新发展逻辑，从产业宏观和底层科技综合视角来探讨实现“双碳”目标的更快路径，2023年尾声，英飞凌推出“英飞凌绿色能源”系列线上圆桌直播活动，结合产业热点，打造业界独家栏目！在这档栏目中，通

功率半导体英飞凌

255浏览量