英飞凌工业半导体

动态

• 发布了文章 2024-01-09 08:13

  三电平电路原理及常见的电路拓扑分析

  

  随着对逆变器的功率密度、效率、输出波形质量等性能要求逐渐增加，中点钳位型(NeutralPointClamped，NPC)的三电平拓扑逆变器已经得到了广泛的应用，典型的三电平拓扑有二极管型NPC(NPC1)、ConergyNPC(NPC2)、有源NPC(ANPC)，如下图所示。相对于传统的两电平逆变器，三电平逆变器有以下优点：1.输出波形的谐波成分少：三电平

  三电平电路 二极管 电路拓扑 逆变器

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• 发布了文章 2024-01-08 08:13

  英飞凌MOTIX™系列再添新成员：推出适用于电池供电应用的160V双通道栅极驱动器IC

  

  英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）宣布其适用于汽车和工业电机控制应用的MOTIX系列再添新成员。为进一步扩大这一先进产品系列的阵容，英飞凌推出了MOTIX双通道栅极驱动器IC，包括2ED2742S01G、2ED2732S01G、2ED2748S01G和2ED2738S01G。这些160V的绝缘体上硅片（SOI）栅极驱动器均为

  电池 英飞凌 驱动器IC

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• 发布了文章 2024-01-05 08:13

  全新4.5kV XHP™ 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化和效率最大化

  

  许多应用都出现了采用更小IGBT模块，将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出了4.5kVXHP3IGBT模块，用于改变目前采用两电平和三电平拓扑结构、使用2000V至3300V交流电压的中压变频器（MVD）与交通运输的应用市场。这款新半导体器件将给诸多应

  IGBT模块 变频器 驱动器

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• 发布了文章 2023-12-30 08:14

  英飞凌荣获年度国际功率器件行业卓越奖

  

  英飞凌是全球半导体领域的领导者，12月23日，英飞凌160VMOTIX三相栅极驱动器IC获得年度国际功率器件行业卓越奖。本次评奖活动由世纪电源网举办，旨在通过客观、真实、公开的评选方式，评选出行业中优秀的企业，助力行业蓬勃发展。英飞凌荣获2023年度国际功率器件行业卓越奖160VMOTIX三相栅极驱动器集成电路6ED2742S01Q是英飞凌MOTIX品牌的新

  功率器件 半导体 英飞凌

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• 发布了文章 2023-12-29 08:14

  英飞凌EiceDRIVER™ IC用“芯”驱动新一代电动夹爪

  

  提起电动夹爪领域，大寰机器人占据着领先的市场地位。作为一家专注为工业智能制造场景提供核心零部件的高科技企业，大寰机器人推出的电动夹爪，凭借其自主研发的精密力控直驱技术，可代替人手在产线上完成各种动作。而如此精妙的机械手，背后来自于英飞凌的EiceDRIVER栅极驱动器的用“芯”驱动。从电源管理到核心驱动，大寰机器人推出的电动夹爪集结了来自英飞凌的多款产品，包

  IC 机器人 英飞凌

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• 发布了文章 2023-12-29 08:14

  英飞凌零碳之路——2023年度盘点（1）

  

  2023年，对于半导体行业而是言充满挑战和机遇的一年。根据英飞凌2023年9月最新财报，英飞凌2023财年销售额同比增长15%至163.9亿欧元，刷新了历史最高。其中，零碳绿色能源领域贡献了约13%的年度营收。根据Omdia9月公布的最新数据，英飞凌功率半导体器件继续稳居全球第一，占据超20%的市场份额。今天，小编带着大家一起来盘点下2023年英飞凌在零碳道

  半导体 新能源 英飞凌

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• 发布了文章 2023-12-22 08:14

  英飞凌入选全球最具可持续发展能力的企业

  

  英飞凌科技再次入选道琼斯可持续发展全球指数（DowJonesSustainabilityWorldIndex），标普全球（S&PGlobal）日前在美国纽约公布了相关评估报告。负责可持续发展相关业务的英飞凌科技管理委员会成员、首席数字化转型官ElkeReichart负责可持续发展相关业务的英飞凌科技管理委员会成员、首席数字化转型官ElkeReichart表示

  功率器件 物联网 英飞凌

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• 发布了文章 2023-12-22 08:14

  门极驱动正压对功率半导体性能的影响

  

  /引言/对于半导体功率器件来说，门极电压的取值对器件特性影响很大。以前曾经聊过门极负压对器件开关特性的影响，而今天我们来一起看看门极正电压对器件的影响。文章将会从导通损耗，开关损耗和短路性能来分别讨论。1对导通损耗的影响无论是MOSFET还是IGBT，都是受门极控制的器件。在相同电流的条件下，一般门极电压用得越高，导通损耗越小。因为门极电压越高意味着沟道反型

  半导体 器件 驱动

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• 发布了文章 2023-12-21 08:14

  英飞凌62mm CoolSiC™ MOSFET 2000V M1H碳化硅半桥模块荣获2023年度最具影响力碳化硅产品奖

  

  11月14日，英飞凌科技的62mmCoolSiCMOSFET2000VM1H碳化硅半桥模块凭借其卓越的性能，荣获2023年度行家极光奖最具影响力产品奖，再次展现了英飞凌在碳化硅领域的技术创新能力和行业领先地位，得到了业内专家和客户的认可。2023年上市的62mmCoolSiCMOSFET2000VM1H碳化硅半桥模块采用沟槽栅，大大提升器件参数、可靠性及寿命

  模块 碳化硅 英飞凌

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• 发布了文章 2023-12-16 08:14

  SiC MOSFET用于电机驱动的优势在哪里

  

  在我们的传统印象中，电机驱动系统往往采用IGBT作为开关器件，而SiCMOSFET作为高速器件往往与光伏和电动汽车充电等需要高频变换的应用相关联。但在特定的电机应用中，SiC仍然具有不可比拟的优势，他们是：1低电感电机低电感电机有许多不同应用，包括大气隙电机、无槽电机和低泄露感应电机。它们也可被用在使用PCB定子而非绕组定子的新电机类型中。这些电机需要高开关

  IGBT MOSFET SiC 电机驱动

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