英飞凌工业半导体

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• 发布了文章 2023-04-07 06:38

  英飞凌强化低碳化形象：工业应用部门将以零碳工业功率（GIP）事业部为名开展经营

  

  德国慕尼黑-2023年4月3日-英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）已将其工业功率控制（IPC,IndustrialPowerControl）事业部更名为零碳工业功率（GIP,GreenIndustrialPower）事业部。自此，英飞凌强调其将持续紧跟低碳化和数字化趋势。对于重新命名为零碳工业功率（GIP）的事业部，绿色能源

  数字化 英飞凌

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• 发布了文章 2023-04-03 16:52

  英飞凌为世界注入无限绿色能源，助力零碳转型

  

  聚焦“碳中和”，探讨运用创新技术,以可持续的发展方式为世界节能减排的IICShanghai2023近日在上海举办。陈立烽英飞凌科技工业功率控制事业部大中华区高级技术总监英飞凌科技工业功率控制事业部大中华区高级技术总监陈立烽受邀出席“2023'碳中和'暨绿色能源电子产业可持续发展高峰论坛”发表主题演讲，深入浅出地分享英飞凌如何“为世界注入无限绿色能源”。美好明

  能源 英飞凌

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• 发布了文章 2023-03-28 16:41

  新品 | 1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7

  

  新品1200VTRENCHSTOPIGBT7H740-140A1200V的TRENCHSTOPIGBT7H7，TO-247封装分立器件，旨在满足光伏、不间断电源和电池充电的应用。产品特点得益于著名的英飞凌出色VCEsat特性TRENCHSTOP技术高速开关，低EMI辐射针对目标应用的优化二极管，实现了低Qrr可选择较低的栅极电阻（低至5Ω），同时保持出色的开

  1200V IGBT

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• 发布了文章 2023-03-28 16:41

  是时候从Si切换到SiC了吗？

  

  作者简介作者：UweJansen翻译：陈子颖在过去的几年里，碳化硅(SiC)开关器件，特别是SiCMOSFET，已经从一个研究课题演变成一个重要的商业化产品。最初是在光伏（PV）逆变器和电池电动车（BEV）驱动系统中采用，但现在，越来越多的应用正在被解锁。在使用电力电子器件的设备和系统设计中都必须评估SiC在系统中可能的潜力，以及利用这一潜力的最佳策略是什么

  SiC 碳化硅

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• 发布了文章 2023-03-28 16:41

  新品 | 1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 S7

  

  新品1200VTRENCHSTOPIGBT7S78-120A1200V的TRENCHSTOPIGBT7S7，TO-247封装分立器件，可快速、方便地替换上一代T2芯片产品系列产品型号：IGQ120N120S7IGQ100N120S7IGQ75N120S7IKQ120N120CS7IKQ75N120CS7IKZA40N120CS78-120A1200V的TRE

  IGBT 分立器件

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• 发布了文章 2023-03-28 16:41

  新品 | X3 Compact POLARIS 1ED314x - 6.5A, 3kVrms单通道隔离栅极驱动器

  

  新品X3CompactPOLARIS(1ED314x)-6.5A,3kV(rms)单通道隔离栅极驱动器X3Compact(1ED31xx)隔离栅极驱动器系列，容易使用，最近发布的栅极驱动器系列又增加了一个新的产品系列，DSO-8150mil窄体封装（1ED314x），带一个米勒钳位选项。相关器件：1ED3140MU12F1ED3141MU12F1ED3142

  栅极 驱动器

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• 发布了文章 2023-03-28 16:40

  SiC MOSFET的短沟道效应

  

  原文标题：PracticalAspectsandBodyDiodeRobustnessofa1200VSiCTrenchMOSFET原文作者：ThomasBasler原文发表在PCIMEurope2018,5–7June2018,NurembergSiIGBT和SiC沟槽MOSFET之间有许多电气及物理方面的差异，PracticalAspectsandBod

  MOSFET SiC

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• 发布了文章 2023-03-28 16:40

  新品 | 光伏用1200V CoolSiC™ Boost EasyPACK™模块

  

  新品光伏用1200VCoolSiCBoostEasyPACK模块光伏用1200VCoolSiCBoostEasyPACK模块，采用M1H芯片，导通电阻8-17毫欧五个规格，PressFIT压接针和NTC。产品型号：DF17MR12W1M1HDF16MR12W1M1HDF14MR12W1M1HDF11MR12W1M1HDF8MR12W1M1H产品特点Best-

  光伏 模块

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• 发布了产品 2023-03-17 13:31

  1200 V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7

  

  产品型号：IKQ140N120CH7 电压：1200V 电流：140A 封装：TO-247-3, TO-247-4

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• 发布了文章 2023-03-15 22:10

  HV SJ MOSFET工作在第三象限时电流路径探究

  

  熊康明英飞凌电源与传感系统事业部主任工程师1引言相信各位工程师在日常的电源设计中，当面对ZVS的场景时，经常会有如下的困惑：比如大名鼎鼎的LLC，工作在死区时，MOSFET寄生二极管续流，当完成了对结电容的充放电之后，再打开MOSFET以降低器件的损耗。细心的工程师可能就会发现一个有趣的问题，我们这里拿IPW60R024CFD7举例说明，假设死区时刻，流过二

  MOSFET 二极管 电流

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