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英飞凌工业半导体

同名公众号致力于打造电力电子工程师园地,英飞凌功率半导体产品、技术和应用的交流平台,包括工程师应用知识和经验分享,在线课程、研讨会视频集锦。

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英飞凌工业半导体文章

  • 高铁跑得快,不靠车头带2025-02-08 11:25

    邀请你一起来创作科普作品,点击报名火车跑得快,全靠车头带。这句有问题吗?如果搁以前那种“况且、况且、况且。。。”的火车肯定没毛病。或者呢,如果你是年终总结会上讲给你领导听,想拍马屁多要点年终奖,那这句话也是一点儿毛病都没有。但是如果你想用这句话描述当今高铁列车的动力系统,那毛病大了。今天就来和大家聊聊,高铁跑得那么快,既不是车头带的,又不是你领导带的,那到底
    动车组 变压器 高铁 129浏览量
  • 英飞凌再次荣膺2024年全球电子成就奖,CoolSiC™ MOSFET 2000V功率器件和模块备受瞩目2025-02-08 11:24

    英飞凌科技CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模块(EasyPACK3B封装以及62mm封装)凭借其市场领先的产品设计以及卓越的性能,荣获2024年全球电子成就奖(WorldElectronicsAchievementAwards,WEAA)“年度高性能无源/分立器件”(HighPerformancePassive/DiscreteD
    MOSFET SiC 功率器件 135浏览量
  • 新品 | 第二代 CoolSiC™ MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬电距离2025-02-08 08:34

    新品第二代CoolSiCMOSFETG2分立器件1200VTO-247-4HC高爬电距离采用TO-247-4HC高爬电距离封装的第二代CoolSiCMOSFETG21200V12mΩ至78mΩ系列以第一代技术的优势为基础,加快了系统设计的成本优化,实现高效率、紧凑设计和可靠性。第二代产品在硬开关工况和软开关拓扑的关键性能指标上都有显著改进,适用于所有常见的交
    MOSFET SiC 分立器件 131浏览量
  • 新品 | 频率和占空比可调的驱动电源用全桥变压器驱动器评估板2025-02-07 17:02

    新品频率和占空比可调的驱动电源用全桥变压器驱动器评估板设计工程师可使用该系列评估板评估全桥变压器驱动器IC-2EP1xxR系列。有三种评估板可供选择:■EVAL-2EP130R-PR:2EP130R变压器驱动器评估板,具有双输出峰值整流和可定制的输出电压,适用于MOSFETS和IGBT。■EVAL-2EP130R-PR-SIC:2EP130R变压器驱动器评估
  • 新品 | 2EP1xxR - 频率和占空比可调的驱动电源用20V全桥变压器驱动器2025-01-24 17:04

    新品2EP1xxR-频率和占空比可调的驱动电源用20V全桥变压器驱动器2EP1xxR是IGBT,GaN和SiC驱动电源用全桥变压器驱动器IC系列,采用紧凑型TSSOP8引脚封装,具有功率集成和优化功能,可产生非对称输出电压,为隔离栅极驱动器供电。由于具有独特的占空比调整能力,它针对非对称栅极驱动器电源进行了优化。2EP1xxR还集成了温度、短路和UVLO保护
  • 功率器件热设计基础(十三)——使用热系数Ψth(j-top)获取结温信息2025-01-20 17:33

    /前言/功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识,相关标准和工程测量方法。驱动IC电流越来越大,如采用DSO-8300mil宽体封装的EiceDRIVER1ED3241M
  • 新品 | QDPAK TSC顶部散热封装工业和汽车级CoolSiC™ MOSFET G1 8-140mΩ 750V2025-01-17 17:03

    新品QDPAKTSC顶部散热封装工业和汽车级CoolSiCMOSFETG18-140mΩ750V新推出的CoolSiCMOSFET750VG1是一个高度可靠的SiCMOSFET系列,具有最佳的系统性能和可靠性。CoolSiCMOSFET750V充分利用了英飞凌20多年的SiC经验。它在性能、可靠性和鲁棒性方面都具有优势,并具有栅极驱动灵活性,从而简化了系统设
    MOSFET SiC 工业 179浏览量
  • 2025新年启航,赢取好礼:IPAC直播首秀聚焦光伏行业新趋势2025-01-16 17:02

    随着新年的钟声敲响,光伏行业正迎来前所未有的发展机遇。市场规模持续扩大,据S&PGlobal最新预测,户用光伏与中小型工商业光伏市场有望在2025年迎来筑底反弹,未来五年将以稳健的6%年复合增长率蓬勃发展。面对这一趋势,行业对光伏提出了更高要求:更大电流、更高电压,更高功率密度,以及更高的可靠性,这已然成为行业前行的必然趋势。如何通过英飞凌最新一代CoolS
    MOSFET 光伏 207浏览量
  • 英飞凌IGBT7系列芯片大解析2025-01-15 18:05

    上回书(英飞凌芯片简史)说到,IGBT自面世以来,历经数代技术更迭,标志性的技术包括平面栅+NPT结构的IGBT2,沟槽栅+场截止结构的IGBT3和IGBT4,表面覆铜及铜绑定线的IGBT5等。现今,英飞凌IGBT芯片的“当家掌门”已由IGBT7接任。IGBT7采用微沟槽(micropatterntrench)技术,沟道密度更高,元胞间距也经过精心设计,并且
    IGBT 芯片 英飞凌 482浏览量
  • 新品 | 用于交直流固态断路器评估的高效套件(CoolSiC™版本)2025-01-14 17:35

    新品用于交直流固态断路器评估的高效套件(CoolSiC版本)REF_SSCB_AC_DC_1PH_SIC固态断路器(SSCB)套件用于快速评估交流和直流断路器,带交互式图形用户界面GUI。该套件支持110VAC、230VAC或350VDC工作电压和16A额定电流,自然冷却,采用顶部散热(TSC)MOSFET封装上的非隔离式散热器。它可支持不同的SSCB应用场
    SiC 断路器 196浏览量