英飞凌工业半导体

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• 发布了文章 2024-11-19 01:01

  功率器件热设计基础（五）——功率半导体热容

  

  /前言/功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。热容热容Cth像热阻Rth一样是一个重要的物理量，它们具有相似的量纲结构。热容和电容，都是描述储

  功率半导体 功率器件 热设计

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• 发布了文章 2024-11-17 01:02

  第二届电力电子创作大赛圆满收官，优秀作品连连看！

  

  在新能源发电、输配电及高效用电领域，电力电子技术默默扮演着举足轻重的角色，却常隐于幕后，不为公众所广泛认知。为揭开这位科技巨擘的神秘面纱，中国电源学会科普工委与英飞凌科技（中国）有限公司共同主办第二届电力电子创作大赛，旨在深化公众对电力电子技术的认识与理解。自今年4月盛大启幕以来，大赛吸引了社会各界的广泛关注与积极参与。参赛阵容横跨学生、工程师、电力电子领域

  电力电子 英飞凌

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• 发布了文章 2024-11-16 01:04

  新品 | 16A 230 VAC或350 VDC交直流固态断路器参考设计板

  

  新品16A230VAC或350VDC交直流固态断路器参考设计板REF_SSCB_AC_DC_1PH_16A固态断路器(SSCB)套件用于快速评估交流和直流断路器，带交互式图形用户界面。该套件包含两块电路板，支持230VAC或350VDC工作电压和16A额定电流，自然冷却，采用顶部散热(TSC)MOSFET封装上的非隔离式散热器。它可支持不同的SSCB应用场景

  VAC VDC 断路器

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• 发布了文章 2024-11-14 01:03

  新品 | D²PAK和DPAK封装的TRENCHSTOP™的IGBT7系列

  

  新品D²PAK和DPAK封装的TRENCHSTOP的IGBT7系列D²PAK和DPAK封装的TRENCHSTOP的IGBT7系列，是采用额定电压为1200V的IGBT7S7芯片，器件采用D²PAK和DPAK封装（TO263-3和TO252-3），提供3A至15A的额定电流产品。是替代西门子SG***N120系列老型号的理想之选，提供兼容升级。产品型号：■IG

  封装 芯片 额定电压

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• 发布了文章 2024-11-12 01:04

  功率器件热设计基础（四）——功率半导体芯片温度和测试方法

  

  功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。芯片表面温度芯片温度是一个很复杂的问题，从芯片表面测量温度，可以发现单个芯片温度也是不均匀的。所以工程上

  功率半导体 功率器件 热设计 芯片

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• 发布了文章 2024-11-08 01:03

  新品 | 符合AQG324标准的车载充电用CoolMOS™ CFD7A 650V EasyPACK™模块

  

  新品符合AQG324标准的车载充电用CoolMOSCFD7A650VEasyPACK模块符合AQG324标准的EasyPACK采用了最新的CoolMOSCFD7A650V芯片和一个集成的直流缓冲器Snubber电路。完美的性价比组合，适用于车载充电器和电动汽车辅助系统应用。产品型号：■F4-35MR07W1D7S8_B11/A产品特点高度可靠的压接式针脚预涂

  CoolMOS 充电 车载

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• 发布了文章 2024-11-07 08:03

  英飞凌再次荣膺2024年全球电子产品奖，CoolSiC™ MOSFET 2000V功率器件和模块备受瞩目

  

  11月5日，英飞凌科技CoolSiCMOSFET2000V碳化硅分立器件以及碳化硅模块(EasyPACK3B封装以及62mm封装)凭借其市场领先的产品设计以及卓越的性能，荣获2024年全球电子成就奖（WorldElectronicsAchievementAwards,WEAA）“年度高性能无源/分立器件”（HighPerformancePassive/Dis

  MOSFET 功率器件 模块 英飞凌

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• 发布了文章 2024-11-05 08:02

  功率器件热设计基础（三）——功率半导体壳温和散热器温度定义和测试方法

  

  功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会联系实际，比较系统地讲解热设计基础知识，相关标准和工程测量方法。功率半导体模块壳温和散热器温度功率模块的散热通路由芯片、DCB、铜基板、散热器和焊接层、导热脂

  功率半导体 功率器件 散热器 热设计

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• 发布了文章 2024-11-01 08:06

  新品 | CoolSiC™肖特基二极管G5系列10-80A 2000V

  

  新品CoolSiC肖特基二极管G5系列10-80A2000VCoolSiC肖特基二极管2000VG5系列在高达1500VDC的高直流母线系统中实现了更高的效率和设计简化。由于采用了.XT互联技术，该二极管具有一流的散热性能和很强的防潮能力。它与配套的CoolSiCMOSFET2000V产品组合完美匹配。产品型号：■IDYH10G200C5■IDYH25G20

  SiC 二极管 肖特基二极管

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• 发布了文章 2024-10-31 08:04

  英飞凌推出全球最薄硅功率晶圆，突破技术极限并提高能效

  

  •英飞凌是首家掌握20μm超薄功率半导体晶圆处理和加工技术的公司；•通过降低晶圆厚度将基板电阻减半，进而将功率损耗减少15%以上；•新技术可用于各种应用，包括英飞凌的AI赋能路线图；•超薄晶圆技术已获认可并向客户发布。继宣布推出全球首款300mm氮化镓（GaN）功率半导体晶圆和在马来西亚居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半导体晶圆厂之后，英飞凌

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