英飞凌工业半导体

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• 发布了文章 2026-07-16 17:05

  使用新一代H7系列IGBT单管设计高效新能源系统

  

  周明深耕碳化硅铸硬核功底，细研功率件的靠谱工程师InfineonTRENCHSTOPIGBT7单管产品目前已形成完善的产品矩阵，涵盖650V、750V、1200V三种主流电压等级。基于不同应用场景的需求，产品系列分为T7、S7、H7三大系列，封装形式包含DTO在内共计6种，全系列累计推出56款产品，可实现对前代多数单管产品的兼容替换。为保障产品稳定性与产品一

  IGBT 单管 新能源系统

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• 发布了文章 2026-07-13 17:05

  新品 | 采用 IHV B 封装的4500 V/ 1200 A IGBT模块：FZ1200R45HL4_B8

  

  新品采用IHVB封装的4500V/1200AIGBT模块：FZ1200R45HL4_B8IHV4500V、1200A、130mm单开关IGBT模块，采用IGBT4沟槽场截止技术，是高压直流输电（HVDC）、静止同步补偿器（Statcom）及工业应用的理想选择。

  IGBT 封装

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• 发布了文章 2026-07-08 17:19

  极速陷阱：你的测试仪器“看”到真实的SiC了吗?

  

  还记得电影《F1：狂飙飞车》中，那些让人肾上腺素飙升的镜头吗？男主桑尼驾驶着APXGP，在直道末端以超过300公里的时速呼啸而过。如果你用手机拍摄这一瞬间，得到的可能是一片模糊的光影——你只知道有辆车过去了，但完全看不清细节。但是如果用足够快的连拍速度和抓取瞬间的能力的高速相机，就能定格赛场上的精彩瞬间，可以看清它的姿态、细节，甚至分析他过弯的精

  MOSFET SiC 测试仪器

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• 发布了文章 2026-07-06 17:04

  新品 | 用于中压驱动与电机控制的IGBT 7 EconoPACK™ 3模块

  

  新品用于中压驱动与电机控制的IGBT7EconoPACK3模块EconoPACK31700VTRENCHSTOPIGBT7模块为中压驱动与电机控制提供业界领先的性能。该模块采用发射极控制EC7二极管，集成整流器与NTC温度传感器，并配备绝缘基板，具备卓越的可靠

  传感器 电机控制 驱动

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• 发布了文章 2026-07-02 17:04

  电的神奇旅程

  

  来源：本文为第三届科普大赛获奖作品选登，作者：赵佳。Part01.电是如何产生的电的神奇旅程，要从清晨太阳投射到地球的第一缕阳光说起阳光不仅带来光明，也是取之不尽的清洁能源在山间，在屋顶，你可能都见过像这样的太阳能电池板太阳能电池板里有无数不安份的小球——电子，当阳光照射在太能阳电池板上，电子吸收了阳光的能量，不安分地脱离了电池板的束缚。无数电子汇集在一起，

  太阳能 太阳能电池板 电池板

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• 发布了文章 2026-06-29 13:24

  聚焦工业与能源转型，英飞凌在慕尼黑电子展释放哪些关键信号？

  

  7月1日至3日，全球功率系统与物联网领域的半导体领导者英飞凌将携微控制器、汽车半导体、功率半导体及传感器等最新产品亮相“2026慕尼黑上海电子展”。本次展会将围绕人工智能、机器人、软件定义汽车、电动出行、能源基础设施、安全及物联网六大应用领域，系统呈现英飞凌的技术布局与创新成果，进一步彰显其以半导体技术推动产业升级与可持续发展的能力。在推动前沿技术应用的同时

  半导体 慕尼黑电子展 英飞凌

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• 发布了文章 2026-06-24 18:13

  全面解析SiC MOSFET雪崩耐量

  

  在新能源、工控、储能等高压大功率场景中，沟槽栅SiCMOSFET凭借优异的开关性能被广泛应用。但在电机驱动、电源转换等感性负载场景中，MOSFET关断时因电流突变会在漏源极间产生高压尖峰。若无钳位电路吸收能量，器件可能进入雪崩击穿状态，轻则参数劣化，重则直接烧毁。雪崩稳健性是衡量SiCMOSFET可靠性的核心指标，今天结合实测案例与

  MOSFET SiC UIS 雪崩

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• 发布了文章 2026-06-22 17:07

  新品 | 英飞凌XHP™2半桥IGBT模块新产品（1700V，2000A/1400A ）

  

  新品英飞凌XHP2半桥IGBT模块新产品（1700V，2000A/1400A）XHP2封装1700V2000A/1400A半桥IGBT模块，搭载全新IGBT8与EC8芯片，实现更高功率密度与优化热管理，全面提升运行效率。产品型号：■FF2000R17T2P8■

  IGBT 英飞凌

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• 发布了文章 2026-06-17 17:21

  英飞凌深度解析：CoolSiC™ MOSFET 短路能力与失效模式

  

  在碳化硅SiCMOSFET快速普及的今天，短路稳定性一直是行业关注与争议的焦点。很多工程师误以为：SiCMOSFET天生扛不住短路，是硬缺陷。事实真的如此吗？英飞凌基于大量实测与器件机理研究，为大家还原CoolSiCMOSFET短路特性的真相，帮你在选型与应用中少走弯路。01先澄清一个误区：SiC不是“不能短路”先看一组行业常见数据

  MOSFET SiC 失效模式 英飞凌

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• 发布了文章 2026-06-15 17:04

  新品 | 英飞凌15kW光伏升压变换器(Boost)参考设计

  

  如果您对本文中的产品（推文代码：2026NPI15）感兴趣，需要英飞凌销售团队或代理商联系您，请识别下方“产品需求提交”中二维码，填写表单。新品REF-15KW2LBOOST：15kW光伏升压Boost变换器参考设计REF-15KW2LBOOST是一款用于光伏升压变换器的快速原型开发参考设计，功率最高可达15kW，具备三个独立直流输入通道。该设计基于模块化架

  光伏 变换器 英飞凌

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