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英飞凌工业半导体

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英飞凌工业半导体文章

  • 新品 | CoolSiC™肖特基二极管G5系列10-80A 2000V2024-11-01 08:06

    新品CoolSiC肖特基二极管G5系列10-80A2000VCoolSiC肖特基二极管2000VG5系列在高达1500VDC的高直流母线系统中实现了更高的效率和设计简化。由于采用了.XT互联技术,该二极管具有一流的散热性能和很强的防潮能力。它与配套的CoolSiCMOSFET2000V产品组合完美匹配。产品型号:■IDYH10G200C5■IDYH25G20
  • 英飞凌推出全球最薄硅功率晶圆,突破技术极限并提高能效2024-10-31 08:04

    •英飞凌是首家掌握20μm超薄功率半导体晶圆处理和加工技术的公司;•通过降低晶圆厚度将基板电阻减半,进而将功率损耗减少15%以上;•新技术可用于各种应用,包括英飞凌的AI赋能路线图;•超薄晶圆技术已获认可并向客户发布。继宣布推出全球首款300mm氮化镓(GaN)功率半导体晶圆和在马来西亚居林建成全球最大的200mm碳化硅(SiC)功率半导体晶圆厂之后,英飞凌
  • 功率器件的热设计基础(二)——热阻的串联和并联2024-10-29 08:02

    /前言/功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章将比较系统地讲解热设计基础知识,相关标准和工程测量方法。第一讲《功率器件热设计基础(一)----功率半导体的热阻》,已经把热阻和电阻联系起来了,那自然会
  • 英飞凌推出CoolSiC™肖特基二极管2000V,直流母线电压最高可达1500 VDC2024-10-25 08:04

    如今,许多工业应用可以通过提高直流母线电压,在力求功率损耗最低的同时,向更高的功率水平过渡。为满足这一需求,全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)推出CoolSiC肖特基二极管2000VG5,这是市面上首款击穿电压达到2000V的分立碳化硅二极管。该产品系列适用于直流母线电压高达1500VD
  • 新品 | 采用OptiMOS™ 6功率MOSFET的模块化半桥功率板2024-10-24 08:03

    新品采用OptiMOS6功率MOSFET的模块化半桥功率板该套件功率板模块采用OptiMOS6功率MOSFET135V,D²PAK7引脚封装,是LVD可扩展功率演示板平台的功率部分。它是一个带功率开关和栅极驱动器接口的单半桥,可轻松构建任何基于半桥的功率拓扑。相关器件:IPF021N13NM6(OptiMOS6powerMOSFET135V)该系列还有各种功
    MOSFET 功率 驱动器 513浏览量
  • 功率器件热设计基础(一)——功率半导体的热阻2024-10-22 08:01

    功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章会比较系统地讲解热设计基础知识,相关标准和工程测量方法。散热功率半导体器件在开通和关断过程中和导通电流时会产生损耗,损失的能量会转化为热能,表现为半导体器件发热
  • 新品 | 3300W无桥图腾柱PFC参考设计2024-10-17 08:03

    新品3300W无桥图腾柱PFC参考设计REF_3K3W_TP_SIC_TOLL3300W无桥图腾柱PFC参考设计是采用英飞凌功率半导体、驱动器和微控制器的系统解决方案。它采用无桥图腾柱拓扑结构,非常适合要求卓越的效率和功率密度的高端应用。图腾柱设计简便易行,减少了元件数量,并充分利用了PFC电感器和功率开关,从而以有限的系统成本实现高功率密度。相关器件:RE
  • 10月25日|英飞凌储存器解决方案线上技术论坛2024-10-15 08:04

    诚邀您参加英飞凌储存器解决方案线上技术论坛。本次论坛将由Infineon和业内专家共同主持,向您全方位展示Infineon储存器解决方案在汽车和工业应用中的最新设计趋势和用例。论坛面向对象:本届论坛主要面向方案设计群体(系统架构师、设计工程师等),探讨(由多种需求驱动的)设计复杂度增加,和资格认证所带来的挑战,以及如何减少开发成本并缩短上市时间。话题涵盖:可
    储存器 汽车 英飞凌 367浏览量
  • 新品 | 1200A 4500V IGBT模块FZ1200R45HL4和FZ1200R45HL4_S72024-10-13 08:04

    新品1200A4500VIGBT模块FZ1200R45HL4和FZ1200R45HL4_S7知名的IHVB4.5kV单开关IGBT模块已采用我们最新一代的芯片,以满足MVD、输配电和交通行业应用当前和未来的要求。它采用TRENCHSTOPIGBT4和发射极控制二极管EmCon4,标准封装尺寸为140x190mm²,与上一代产品一样,可提供驱动电压VGE=25
    IGBT 二极管 芯片 454浏览量
  • 新品 | 采用IGBT7的CIPOS™ Maxi 10-20A 1200V IPM2024-10-09 08:04

    新品采用IGBT7的CIPOSMaxi10-20A1200VIPM高性能CIPOSMaxi转模封装IPMIM12BxxxC1系列基于新型1200VTRENCHSTOPIGBT7和快速二极管Emcon7技术。由于采用了最新的微沟槽设计芯片,该产品具有卓越的控制能力和性能,这大大降低了损耗,提高了效率,并增加了功率密度。产品组合包括从10A,15A和20A三种新
    IGBT IPM 二极管 423浏览量