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电子发烧友网 > 制造/封装 > 新品快讯

英飞凌推出采用TO-247封装的TRENCHSTOP™ IG...

TRENCHSTOP IGBT7器件具有优异的可控性和卓越的抗电磁干扰性能。它很容易通过调整来达到特定于应用的最佳dv/dt和开关损耗。

2020-09-29 标签:英飞凌封装IGBT 2475

泛林集团推出先进介电质填隙技术,推动下一代器件的发展

泛林集团 (Nasdaq:LRCX) 宣布推出一款全新的工艺方案——先进的Striker® FE平台——用于制造高深宽比的芯片架构。S

2020-09-23 标签:器件半导体制造晶圆制造逻辑存储器 745

KLA针对先进封装发布增强系统组合

随着封装技术的不断创新与发展,对于从晶圆级别到元件级别的各个封装制造环节,所有步骤的制程控制都变得更加关键。我们新推出的产品可帮助半导体制造商、晶圆厂以及外包半导体和测试(OSAT)供应商在日益复杂多样的封装领域满足质量和可靠性的期望要求。

2020-09-22 标签:封装技术KLA 1018

行稳致远,厚积薄发|极海半导体—工业级通用MCU/MPU/S...

随着5G新基建、人工智能、辅助驾驶ADAS以及物联网万亿级市场的持续发展,微控制器(MCU)作为物联网设备的核芯部件,也将迎来新一轮的产能释放。

2020-09-22 标签:mcusocMPU极海半导体 4082

FORESEE DDR3L,坚持行业高标准

随着5G、IoT技术的持续发展,智能电子设备对小容量存储产品的可靠性、稳定性和兼容性方面提出了更高的要求。

2020-09-21 标签:信号完整性FBGA嵌入式存储江波龙 1084

扬杰科技||SMG/SME TVS新品发布

新型封装SMG,SME TVS管,8/20us下,电流可达2500A、10000A,保护5G通信基站稳定运行。

2020-09-17 标签:SMGTVS管扬杰科技 2247

东芝推出采用最新封装的光继电器,助力实现高密度贴装

新型P-SON4封装的贴装面积为7.2mm²(典型值),比2.54SOP4封装小74%,比2.54SOP6封装小84%,非常适合高密度贴装。

2020-09-14 标签:东芝MOSFET芯片光继电器SOP封装 1251

高精度超薄结构化玻璃晶圆升级量产,公差低于20微米

肖特FLEXINITY®玻璃晶圆开创性的结构具有无可匹敌的精度,这对在高技术应用中的精确定位和结构对齐至关重要。低于20微米(± 10微米)的紧密公差确保组件之间的完美对齐并实现高精度系统。

2020-09-08 标签:晶圆压力传感器肖特 1622

以机器代替人,研华EPC-P3066嵌入式工控机助力打造仓库...

技术发展至今,技术本身往往并非瓶颈,应用才是。在智能制造、智能物流等领域的探索和实践,研华有许多值得参考的解决方案。

2020-09-03 标签:工控机机器视觉嵌入式工控机研华智能物流 1208

Littelfuse新推尺寸最小的PPTC保护便携设备,可避...

Littelfuse产品经理Jin Xu表示:“zeptoSMDC比同类产品中的任何现有组件都更小。

2020-08-12 标签:笔记本电脑PPTCLittelfuse 1011

应用材料公司解决2D尺寸继续微缩的重大技术瓶颈

应用材料公司今日宣布推出一项新技术,突破了晶圆代工-随逻辑节点2D尺寸继续微缩的关键瓶颈。

2020-07-21 标签:晶圆代工晶体管应用材料公司 912

Nexperia发布P沟道MOSFET,采用节省空间的坚固L...

LFPAK封装采用铜夹片结构,由Nexperia率先应用,已在汽车等要求严格的应用领域中使用近20年。

2020-05-08 标签:MOSFETNexperiaLFPAK56 1413

史密斯英特康推出适用于200µm间距的晶圆级封装测试头Vol...

Volta独特的设计具有极短的信号路径,低接触电阻,可实现最佳电气性能,并且可有效地降低清洁频率,提高了探针头的使用寿命和延长单次正常运行时间。

2020-03-17 标签:晶圆封装测试volta 918

UnitedSiC推出具有最低RDS(on)的DFN 8x8...

新发布的产品应用范围包括无线和电信系统中50~500KHz频率范围的LLC和相移全桥(PSFB)功率转换,以及功率因数校正(PFC)中的标准硬开关等领域。

2020-02-05 标签:FETSiCUnitedSiC 1216

定压推挽控制芯片SCM1212A,高效集成三项关键技术!

金升阳最新发布的定压推挽控制芯片SCM1212A具有SOT23-5封装,在功能上与之前推出的SCM1201A(SOT23-6封装)相同,此款芯片的发布满足了市场上对不同引脚封装的需求。

2019-12-02 标签:变压器电源控制器推挽 4336

Vishay推出高速红外发射器,亮度提高30 %,且可消除多...

850 nm、890 nm和940 nm器件采用带侧光挡板的小型0805表面贴封装,辐照强度达13 mW/sr,工作温度范围-40 °C至+110 °C。

2019-11-20 标签:Vishay发射器红外发射器PCB封装 1641

Soitec宣布与应用材料公司启动联合研发项目,共同开发新一...

法国Soitec半导体公司宣布与应用材料公司启动联合项目,展开对新一代碳化硅衬底的研发。

2019-11-19 标签:碳化硅SOITEC应用材料公司 941

智原科技28/40纳米单芯片ASIC设计量三年倍增

28纳米与40纳米为目前半导体市场上的主流工艺,无论是IP、光罩与晶圆等技术均趋于稳定成熟,成本大幅低于FinFET工艺。

2019-09-19 标签:asic晶圆soc智原科技 1616

紫光64层晶圆正式亮相,距离世界领先水平该有多远?

在2019中国国际智能产业博览会上,紫光集团首次公开展示了长江存储64层NAND Flash Wafer。据存储在线报道称,这是紫光集团旗下长江存储推出的第二代64层3D NAND,也是业内存储密度最高的64层3D NAND芯片。据techweb的消息显示,长江存储今年年底预计正式量产64层堆栈的3D闪存,明年开始逐步提升产能,预计2020年底有望将产能提升至月产6万片晶圆的规模。

2019-08-27 标签:三星电子SK海力士3D NAND长江存储 2410

UnitedSiC在UF3C FAST产品系列中新增两种TO...

美国新泽西州普林斯顿 --- 新型功率半导体企业美商联合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布,在公司快速发展的650V SiC FET硬开关UF3C FAST产品系列中新增两种TO220-3L封装选项。

2019-07-25 标签:封装FETSiCUnitedSiC 1824

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