制造/封装

SiC功率模块关键在价格，核心在技术

日前，碳化硅（SiC）技术全球领导者半导体厂商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感应加热效率达到99%的Vds最大值为1.2KV、典型值为5.0 mΩ半桥双功率模块CAS300M12BM2。该款产品目标用途包括感应加热设备、电机驱动器、太阳能和风能逆变器、UPS和开关电源以及牵引设备等。

2015-09-06 标签：功率模块碳化硅CAS300M12BM2 1550

Pericom推出多类高速连接、时频和控制新品

Pericom推出多类高速连接、时频和控制新品...

2015-09-01 标签：Pericom 980

格罗方德半导体推出业内首个22nm FD-SOI工艺平台

格罗方德半导体（GLOBALFOUNDRIES）今日发布一种全新的半导体工艺，以满足新一代联网设备的超低功耗要求。“22FDX™”平台提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本则与28nm平面晶体管工艺相当，为迅速发展的移动、物联网、RF连接和网络市场提供了一个最佳解决方案。

2015-07-14 标签：物联网FD-SOI格罗方德 1643

英飞凌推出全新可控逆导型IGBT芯片

英飞凌推出全新可控逆导型IGBT芯片，可提高牵引和工业传动等高性能设备的可靠性

2015-06-24 标签：英飞凌RCDC IGBT 2622

大联大品佳集团推出INTEL SoFIA SoC系列平台

2015-06-09 标签：SoCINTEL 795

Mentor Graphics新一代的 MicReD Ind...

Mentor Graphics公司（纳斯达克代码：MENT）今日宣布，新一代的 MicReD® Industrial Power Tester 1500A 产品可同时为多达12个功率器件提供电子器件功率循环测试功能和热测试功能。

2015-05-18 标签：Mentor Graphics 4158

Vishay新款薄膜条MOS电容器为混合装配提供高功率

宾夕法尼亚、MALVERN — 2015 年 5 月18 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，针对高功率混合装配、SiC和GaN应用中的使用环境，推出新的薄膜条MOS电容器。

2015-05-18 标签：电容器Vishay 858

Qorvo采用全新GaAs工艺技术提高光带宽

2015年4月27日 – 移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中RF解决方案的领先供应商Qorvo， Inc.（纳斯达克代码：QRVO）日前宣布推出一项全新的砷化镓（GaAs）赝晶型高电子迁移率晶体管（pHEMT）工艺技术，与竞争对手的半导体工艺相比，该技术能够提供更高的增益/带宽和更低的功耗。

2015-04-28 标签：RFGaAsQorvoTQPHT09 1080

Xilinx凭借新型存储器、3D-on-3D和多处理SoC技...

2015年2月25日，中国北京—— All Programmable技术和器件的全球领先企业赛灵思公司 （NASDAQ： XLNX）今日宣布，其16nm UltraScale+™ 系列FPGA、3D IC和MPSoC凭借新型存储器、3D-on-3D和多处理SoC（MPSoC）技术，再次实现了领先一代的价值优势。为实现更高的性能和集成度，UltraScale+ 系列还采用了全新的互联优化技术——SmartConnect。

2015-03-02 标签：FPGASoCXilinx 858

Cadence为台积电16纳米FinFET+制程推出IP组合

美国加州圣何塞（2014年9月26日）-全球知名的电子设计创新领导者Cadence设计系统公司（NASDAQ： CDNS）今日宣布为台积电16纳米FinFET+ 制程推出一系列IP组合。

2014-10-08 标签：台积电CadenceFinFET 1019

CEC进军信息服务业，打造国家级元器件电商平台

日前，承载中国电子信息产业集团有限公司信息服务板块使命的中国中电国际信息服务有限公司（中电国际）正式在深启动运营，深圳市市长许勤、CEC董事长芮晓武出席启动会。

2014-09-24 标签：CEC公司 1123

e络盟推出面向工程师的完整开发工具资源平台-设计中心

［中国 – 2014年9月11日］ e络盟日前宣布正式推出e络盟设计中心，为工程师提供最全面的开发工具产品详细参数及支持资料。

2014-09-11 标签：连接器物联网e络盟 853

Vishay的新款VRPower DrMOS尺寸更小更高效

宾夕法尼亚、MALVERN — 2014 年 9 月9 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用小尺寸、散热增强型PowerPAK® MLP 5mm x 5mm的31pin封装的VRPower®集成DrMOS新品---SiC620。

2014-09-09 标签：DrMOS 4.0 1151

技术前沿--多用途导电性芯片贴装膜技术面世

消费者不断要求在越来越小的外形尺寸上实现更多的功能，促使半导体封装专家寻找更薄、更小、更高封装密度的可靠解决方案。

2014-08-18 标签：汉高芯片贴装膜 1379

英特尔公布全新14nm芯片技术：Broadwell，低功耗成...

英特尔正式发布了全新14nm芯片技术，并将其命名为Broadwell。

2014-08-16 标签：英特尔Broadwell 4090

大联大世平集团推出基于ADI的电能质量在线监测系统方案

2014年8月7日，致力于亚太地区市场的领先电子元器件分销商—大联大控股宣布，其旗下世平针对电能质量监测市场，推出ADI电能质量在线监测系统方案。

2014-08-07 标签：ADI大联大监测系统 981

Mouser携手National Instruments打造...

2014 年 8 月 5 日 – 贸泽电子 （Mouser Electronics） 宣布即将发布 Mouser 版 NI Multisim 元件评估板 MultiSIM BLUE。

2014-08-07 标签：Mouser公司MultiSIM BLUE 1329

为智能手机和可穿戴装备量身定制的低电阻芯片

ROHM研发出适用于智能手机和可穿戴装备等小型设备使用的低电阻芯片--UCR006，为尺寸0603（0.6毫米（mm）×0.3毫米）的厚膜类晶片电阻，除能实现100毫欧姆（mΩ）低电阻之外，也可以协助装置节能。

2014-08-05 标签：ROHM低电阻芯片 820

ROHM推出最高级别低阻值100mΩ的0201 inch电流...

全球知名半导体制造商ROHM开发出最适用于智能手机和可穿戴式设备等小型设备电流检测用的低阻值贴片电阻器“UCR006”。

2014-07-24 标签：贴片电阻器ROHM 1935

ARM与台积电携手完成16nm FinFET工艺测试

对于英特尔来说，要想在移动芯片市场多分得一杯羹，就需要借助其更加先进的制造能力的优势。而今日宣布的新款Atom SoCs——举例来说——即基于22nm的3D或“三栅极晶体管”工艺。与传统的（基于平面晶体管结构的）芯片相比，新架构使得芯片可以在较低的电压水平上，更有效率地运作——在降低能耗的同时，更能延长系统的续航时间。

2014-02-25 标签：ARM台积电FinFET 1046