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电子发烧友网 > 存储技术 > 业界新闻

存储技术

美光抢滩市场,HBM3E量产掀起技术浪潮

除了GPU,另一个受益匪浅的市场就是HBM了。HBM是一种高性能的内存技术,能够提供比传统DRAM更高的带宽和更低的延迟,这使得其在需要大量数据传输和处理的人工智能应用中具有显著优势。

2024-02-29 标签:gpu美光人工智能SK海力士HBMHBM3E 380

HBM市场火爆!美光与SK海力士今年供货已告罄

美光指出,专为AI、超级计算机设计的HBM3E预计2024年初量产,有望于2024会计年度创造数亿美元的营收。Mehrotra对分析师表示,“2024年1~12月,美光HBM预估全数售罄”。

2024-02-27 标签:gpu超级计算机美光SK海力士HBM 368

IBM积极推进Ceph扩展,以打造AI领域的底层数据存储基石

BM正着手扩展Ceph的块和文件存储功能,希望将其定位为Storage Scale并行文件系统之下面向AI工作负载的后端数据存储。

2024-02-20 标签:IBM数据存储AITCP块存储 355

首颗自研2D MLC NAND Flash!江波龙构建完整的...

首颗自研2D MLC NAND Flash!江波龙构建完整的存储芯片垂直整合能力...

2024-02-01 标签:存储芯片江波龙 469

存储市场风云再起!关键闪存芯片紧缺,SSD价格大幅上涨

对于单面设计的M.2 2280 SSD,都需要四颗闪存封装芯片,2TB、4TB这种越来越普及的容量就得用到关键的4-die、8-die封装。

2024-01-31 标签:闪存SSDemmc 685

SK海力士持续投资无锡的原因

无锡工厂是SK海力士的核心生产基地,其产量约占公司DRAM总产量的40%。目前,无锡工厂正在生产两款较旧的10nm制程DRAM。

2024-01-31 标签:DRAM半导体产业存储芯片光刻机SK海力士 774

佰维存储首颗主控芯片即将量产

SK海力士表示,由于平均售价上涨,芯片价格在减产后趋于稳定,DRAM部门在连续两个季度亏损后,三季度开始扭亏为盈。

2024-01-26 标签:NANDIC设计主控芯片SK海力士佰维存储 405

SSD的涨幅将有多大?企业级SSD合同价格上涨约18%-23...

科技媒体Tom's Hardware报道,由于关键闪存芯片紧缺,SSD(固态硬盘)的价格将在本季度晚些时候“飞涨”,尤其是大容量消费级产品。

2024-01-25 标签:NANDSSD闪存芯片固态硬盘emmc 514

彰显全球影响力 | 佰维存储荣获印度“增长最快的闪存制造商品...

近日,佰维亮相印度第15届DT Awards 2023颁奖盛典,公司凭借在存储技术研发、产品竞争力以及市场服务方面的突出表现,斩获了“ 增长最快的闪存制造商品牌 ”大奖。   佰维消费级业务经理Rajesh Khurana(右)上台领奖   本次颁奖汇聚了250多位行业领袖,包括来自ICT行业垂直领域的供应商、企业高管、分销商和经销商。DT奖项(Digital Terminal)以推动ICT产业发展以及印度科技品牌的集体成长为宗旨,表彰为印度市场客户带来最佳产品的科技品牌,因其高度权

2024-01-25 标签:佰维存储 342

DRAM涨价潮:厂商减产引发需求激增,持续寻求利润改善

报导指出,因各家内存厂商减产、市场过剩情况缓解,2023年11月DRAM批发价约2年半来首度呈现扬升。各家内存厂商为了改善获利,今后将持续要求涨价。

2024-01-25 标签:DRAM存储芯片Nand flashSK海力士 315

存储芯片市场升温,DRAM价格连续两个月上涨

存储模组大厂威刚发布2023年财报数据,2023年全年合并营收达337亿新台币,同比下降3.9%。

2024-01-25 标签:DRAM存储芯片ASML存储模组 367

谈存储芯片的演进之路

从NoC的角度来看,我觉得有趣的是,你必须优化这些路径,从处理器到NoC,通过控制器访问内存接口,可能通过UCIe将一个芯片传递给另一个芯片,然后芯片中有内存。

2024-01-24 标签:控制器内存eda存储芯片UCIe 366

2024年DRAM投片量:一季度微增,下半年剧增

DRAM稼动率缓步改善,业界认为,整体DRAM投片量从2024年第1季将逐季提升,较2023年第4季小幅提升约5%左右,下半年投片量回升速度将明显加快。

2024-01-23 标签:DRAM存储芯片Nand flash 383

NAND封装短缺导致大容量SSD价格暴涨

消息人士指出,NAND封装短缺对供应链的全面影响可能需要两到三个月的时间,届时一些最好的2TB和4TB固态硬盘的价格将 "暴涨"。

2024-01-19 标签:NANDSSD固态硬盘3d nand 408

英特尔重返龙头,英伟达首次跻身前五

由于全球存储芯片需求锐减,拖累了2023年全球半导体营收萎缩11%至5330亿美元。其中,2023年全球存储芯片营收暴跌37%,DRAM暴跌38.5%至484亿美元,NAND Flash暴跌37.5%至362亿美元。

2024-01-19 标签:英特尔DRAMNand flash英伟达三星 314

半导体市场复苏趋势会在什么时候?

在本文中,我们将Mos Memory分为DRAM和NAND闪存,并尝试从各公司的价格趋势和销售(份额)趋势来预测全球市场何时完全复苏。在这个过程中,笔者想表明在存储器制造商之间,可以看到明显的盛衰。

2024-01-19 标签:DRAMNAND三星电子存储器HBM 385

国产半导体大厂宣布,Trench MOS产品线单价上调5%-...

据国内Nor代工巨头消息,其产线已经转生产CIS,Nor产能已紧张,这会不会成为Norflash涨价的前戏?

2024-01-17 标签:NANDCISDDR4NORFlashDDR5 582

LLW DRAM:AI智能手机时代的财富密码

LLW DRAM作为一种低功耗内存,拥有宽I/O、低延迟、每个模块/堆栈提供了128GB/s的带宽,与一个128位DDR5-8000内存子系统的带宽相同。

2024-01-17 标签:智能手机DRAM片上系统AI三星 441

AI算力驱动:HBM成为行业新宠

HBM(High Bandwidth Memory,高频宽存储器)是一种基于3D堆栈工艺的高性能DRAM,通俗来讲,就是先将很多DDR芯片堆叠在一起后,再与GPU封装在一块。

2024-01-17 标签:DRAM存储器AIHBM算力 655

康芯威亮相CES 2024 多元化存储解决方案大放异彩

当地时间2024年1月12日,CES (国际消费类电子产品展)在美国拉斯维加斯完美谢幕,为期4天的科技盛宴吸引了全球4000余家科技企业参展,中国企业在其中的占比也逐年递增。 作为科技行业的“风向标”,本届CES的展品覆盖消费电子、AI、元宇宙、5G、汽车电子等数十个细分领域,让观众全面洞悉未来科技发展新貌。其中5G、AI、云计算等技术快速发展,也使得如今对存储产品的需求不可同日而语,也给存储产业带来更大的发展机遇,亦是我国加速建设本土

2024-01-16 标签:康芯威 409

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