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电子发烧友网 > 存储技术 > 业界新闻

存储技术

SK海力士:挑战美国限制,推进中国半导体技术升级

无锡工厂是SK海力士的核心生产基地,其产量约占公司DRAM总产量的40%。目前,无锡工厂正在生产两款较旧的10纳米DRAM。

2024-01-16 标签:DRAM半导体制造SK海力士 336

三星电子转型之路:应对挑战,聚焦超级差距技术

三星电子现在的目标是在新兴的高密度存储芯片领域赶上竞争对手,计划到2024年将容量提高2.5倍。HBM是一种能够更快地处理数据的先进芯片,可与硬件配合使用,例如英伟达的加速器,用于加速训练AI模型等密集任务的数据处理。

2024-01-12 标签:DRAM三星电子人工智能数据处理存储芯片 330

三星财报:存储市场疲软,寻求新增长点

去年第四季度,三星营业利润下降35%,至2.8万亿韩圆(约合人民币153亿元),逊于分析师的平均预期3.7万亿韩圆。公司该季度营收为67万亿韩圆(约合3664亿元),低于分析师平均预期的70.31万亿韩圆。

2024-01-11 标签:人工智能三星 396

市场需要密切关注8个存储趋势

Boland指出存在三种主要的存储类型:对象、块和文件。他说,“对象存储是唯一能够以EB规模提供低成本和高性能的存储。”Boland补充说,最近的IDC调查显示,80%的受访者认为对象存储可以支持他们的顶级IT计划,包括物联网、报告和分析。

2024-01-10 标签:网络安全SSD数据库 255

忆联多项存储产品通过Intel VROC技术认证

UH711a面向数据中心应用场景而开发,针对数据中心级业务场景及负载Workload IO模型,UH711a具有全面的性能优化能力,结合One Time Read、智能多流、SR-IOV等多种特性,可为数据中心提供更高性价比的存储解决方案。

2024-01-09 标签:英特尔SSD数据中心固态硬盘nvme 477

NAND芯片未来报价涨幅至少会达五成

综观全球储存型快闪记忆体(NAND Flash)市场排名,研调机构Omdia报告显示,三星以34.3%市占率位居龙头,第二名是日商铠侠(市占率19.5%),美国威腾电子居于第三(市占率15.9%),SK海力士排第四(市占率约15.1%)。

2024-01-04 标签:芯片NAND存储芯片Nand flash三星 366

中国全闪存市场有哪些特点与趋势?

IDC数据表明,传统企业存储系统中的全闪阵列同比下降5.5%,用户更加青睐端到端NVMe 全闪、分布式全闪等高端全闪存储。

2024-01-03 标签:数据存储SDS分布式存储nvmeAIGC 1112

面对SSD竞争压力,硬盘驱动器正逐步迈向复苏

希捷则有意发布HAMR(热辅助磁记录)技术,并制定了50 TB及以上容量的发展路线图。早在2021年4月,希捷公司CEO Dave Mosely就曾表示,该伺计划“在今年下半年开始交付多个版本的20 TB(HAMR)硬盘。

2023-12-29 标签:SSD希捷西部数据 364

踏碎凌霄 王者归来 | 佰维存储“悟空”系列电竞存储重磅来袭...

电竞产业稳步发展,带动游戏硬件领域的旺盛需求。在电子竞技比赛中,“失之毫厘,差之千里”,一款高性能、稳定可靠的电竞存储产品是每位游戏爱好者的必备之选。近日, 佰维存储为电竞消费者倾力打造的“悟空”系列存储产品首发上市 ,旨在满足电竞玩家和超频专家的实际性能需求,为电竞爱好者提供焕然一新的流畅体验。     悟空系列承载了佰维存储对产品不断创新、追求卓越的匠心独运,致力于为电竞用户开创突破性的体验。基于公司在

2023-12-29 标签:佰维存储电竞 317

佰维发布CXL 2.0 DRAM,赋能高性能计算

导语: CXL是一种开放式全新互联技术标准,可在主机处理器与加速器、内存缓冲区、智能I/O设备等设备之间提供高带宽、低延迟连接,从而满足高性能异构计算的要求,并且其维护CPU/GPU内存空间和连接设备内存之间的一致性,突破内存墙瓶颈,缩减整体响应时间。此外,CXL支持部署新的内存层,可以弥合主内存和SSD存储之间的延迟差距。 随着AI应用爆发,“内存墙”成为制约计算系统性能的主要因素之一。CXL建立在PCIe的物理和电气接口之上, CXL内存扩

2023-12-27 标签:佰维 358

存储芯片Q4逐渐呈现向好趋势,价格逐步回升

根据全球主要的存储芯片原厂最新财报梳理可知:Q3整体库存仍处于较高水平,整体库存高位在Q1达到峰值,Q2有所回调,Q3下降相对明显。

2023-12-27 标签:消费电子存储芯片半导体行业AI服务器 474

2024年1月,预计NOR Flash价格将上涨5%

 NOR Flash是一种基于NOR门结构的闪存,NOR是逻辑门电路中的“或非”门。NOR Flash具有并行访问结构,这意味着每个存储单元都有一个地址,可以直接访问任何存储单元,这使NOR Flash具有快速的随机访问能力,适用于执行代码和读取关键数据。

2023-12-27 标签:闪存芯片adasNOR flash可穿戴设备 816

NOR Flash行业将迎来拐点 明年可能供不应求

在这一氛围下,NOR Flash行业已开始酝酿涨价。台湾经济日报今日有消息指出,预计NOR Flash将接棒启动存储芯片新一轮涨价潮,预计明年1月起先涨5%,二季度涨幅有望扩大至10%。

2023-12-26 标签:DRAMNANDNOR flash 320

DRAM、NAND闪存涨价意愿非常强烈

NAND产品中,同样代表市场行情的256Gb TLC,第四季度单价为1.85美元左右,相比三季度上涨12%。

2023-12-26 标签:NOR闪存闪存DRAMNAND内存 296

美光股价累涨超70% 存储行业或迎底部反转机遇

从市场占有率来看,美光是全球第三大存储芯片巨头,仅次于韩国的三星和SK海力士。从产品线来看,美光是全球第二大内存厂商和第五大闪存厂商,新一轮AI革命对存力的巨大需求是美光的业绩助推器。

2023-12-26 标签:AI美光存储芯片SK海力士三星 409

AI SoC必须考虑的关键因素“内存架构”

导电桥接随机存取内存(conductive-bridging RAM, CBRAM )是一种低耗电、与CMOS兼容的内存,可定制应用在各类嵌入式市场和独立存储器市场。

2023-12-25 标签:神经网络sramsoc内存AI 1139

影驰20周年纪念版星曜DDR5-7200 24GB内存性能测...

影驰20周年纪念版星曜DDR5-7200 24GB内存采用了海力士M-Die颗粒,其超频潜力可与SK海力士的A-Die颗粒相媲美。 即便频率高达7200MHz,内存时序依旧被压制在36-46-46-116 CR2,电压则是1.4V。

2023-12-21 标签:海力士内存条3D打印DDR5 391

国产SSD能否替代进口HDD

倪光南表示,随着我国国产存储整机和闪存生产能力逐步提升,SSD取代HDD时机已经到来。

2023-12-21 标签:SSD数据中心PCIeHDD半导体存储 432

戴尔科技推出全闪存交钥匙系统:ObjectScale XF9...

面对越来越多要求严苛的高增长工作负载,如分析、生成式AI和相关的云原生应用程序开发等等,对象存储被作为主存储并迅速发展。

2023-12-20 标签:DRAMNAND全闪存戴尔科技 433

存储芯片部分型号涨幅达50%

从存储芯片的市场表现来看,两大类别DRAM(动态随机存取存储器)与NAND Flash(闪存存储器)目前的价格较今年谷底都出现了上涨。

2023-12-19 标签:DRAM存储芯片Nand flash半导体存储 310

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