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AI PC需求加速DDR5渗透率提升

公司保持着在内存接口芯片领域的相对领先态势。公司牵头制定DDR5RCD及MDB芯片的国际标准，研发持续领先。

2023-12-19 标签：存储器 DDR5 存储模组 AI PC 591

近日，深圳市物联网协会主办的第四届AIoT大会成功举办，大会同期揭晓了“中国物联网产业领航奖”的获奖名单。凭借在智能终端等物联网应用领域的创新存储技术与出色市场表现，佰维存储荣获“2023中国物联网领航奖——领航企业”殊荣。面对万物互联时代存储的多元化需求，佰维存储构建了“研发封测一体化”的经营模式，在存储方案开发效率、定制化开发、产能稳定供应、产品品质与一致性保障等方面具备显著优势，打造了全系列、定制化

2023-12-18 标签：佰维存储 350

关于AI和SRAM的不确定未来思考

西门子 EDA的内存技术专家Jongsin Yun说， SRAM 的微缩滞后于逻辑收缩，主要是由于最新技术中严格的设计规则。过去，我们对 SRAM 有单独的设计规则，这使我们能够比基于逻辑晶体管的设计缩小更多尺寸。然而，当我们转向更小尺寸的节点时，保持这种区别变得越来越具有挑战性。现在，SRAM 正在遵循越来越多的逻辑设计规则，并且与基于逻辑晶体管的设计相比，进一步缩小存储器的优势并不明显。

2023-12-15 标签：转换器西门子 DDR eda 存内计算 446

明年是半导体产业“回升年”，最大增长动力来自存储

Gartner分析师普里斯利（Alan Priestley）表示，2023年底虽有绘图处理器（GPU）等AI芯片的强劲需求，却不足以挽救整体半导体产业颓势，预估今年全球半导体营收可能将同比减少10.9%，降为5,340亿美元。

2023-12-08 标签：处理器 DRAM NAND gpu AI芯片 403

减产效应下原厂业绩如何？3Q23 NAND Flash / ...

全球存储市场规模成功实现在二季度和三季度连续两个季度环比回升，今年一季度将成为市场规模的事实底点。正如我们在《CFM Report_2023Q3全球存储市场报告与Q4展望》中提到的，在原厂放弃争夺市占、转为以恢复盈利为首要目标的策略变化下，原厂拉涨态度强势，存储行情确定性上涨已成为现实，四季度存储价格全面迎来上涨，那么顺应下半年的出货旺季，全球存储市场规模将继续在四季度保持增长。但受限于目前需求表现不如往年，且价格涨速过快涨

2023-12-06 标签：DRAM 524

存储芯片的升温状况究竟如何？半导体周期出现拐点

分析显示，这是由于下半年需求方重启备货，使得各存储原厂营收都有明显增加。从统计来看，SK海力士在第三季度的同比增长为34.4%表现最为出色，三星以15.9%次

2023-12-05 标签：DRAM 服务器存储芯片 SK海力士 AI算力 394

内存大涨价！DDR5正迈向主流规格之路

为满足对高效内存性能日益增长的需求，DDR5相比其前身DDR4实现了性能的大幅提升，具体为传输速度更快、能耗更低、稳定性提高、内存密度更大和存取效率提高等。

2023-12-05 标签：DRAM 存储器内存 DDR5 LPDDR 537

借助人工智能，存储器比重将进一步增加

SK海力士预测在人工智能（AI）领域，存储器解决方案的比重将进一步增加，可以通过类似AiMX的解决方案部分替代图形处理单元（GPU）。

2023-12-04 标签：fpga 存储器加速器 gpu 人工智能 409

江波龙与金士顿将成立合资公司，深耕国内高品质与高附加值的嵌入...

2023年11月27日，深圳市江波龙电子股份有限公司（以下简称“江波龙”）与金士顿科技公司（Kingston Technology Corporation) 共同签署了意向性备忘录，宣布发挥各自优势，将共同出资设立合资公司，双方分别持有合资公司51%和49%的股份（后续双方将签订具体协议文件，并视届时具体安排依规履行各项审批义务及信息披露义务）。金士顿成立于1987年，总部位于美国加州芳泉谷，是全球知名的独立内存产品制造商，被财富杂志评为“美国最适宜工作的公司”

2023-12-04 标签：江波龙 322

HBM4为何备受存储行业关注？

当前，生成式人工智能已经成为推动DRAM市场增长的关键因素，与处理器一起处理数据的HBM的需求也必将增长。未来，随着AI技术不断演进，HBM将成为数据中心的标准配置，而以企业应用为重点场景的存储卡供应商期望提供更快的接口。

2023-12-02 标签：DRAM gpu 内存 SK海力士 HBM 440

长鑫存储LPDDR5正式进军移动终端市场

资料显示，LPDDR是低功耗的DRAM存储器，由DDR内存演化而来。LPDDR的架构和接口针对低功耗应用进行了专门优化，提供更窄的通道宽度、尺寸更小、工作电压更低和支持多种低功耗运行状态。

2023-12-01 标签：DRAM DDR LPDDR 长鑫存储 LPDDR5 433

长鑫存储推出自主研发的LPDDR5 DRAM存储芯片

长鑫12GB LPDDR5芯片由8个12Gb颗粒封装，这是长鑫存储首款采用层叠封装（Package on Package）的芯片产品。

2023-11-29 标签：DRAM 存储芯片长鑫存储 LPDDR5 932

基于玻璃的归档存储新方法

写入驱动器为全机架大小，可同时对多张盘片进行写入；包含多个驱动器的读取驱动器机架也采用相同设计。读写驱动器机架都需要配备冷却、电源和网络连接。

2023-11-29 标签：微软驱动器机器人 LDPC 234

佰维高效稳定、高可靠存储，赋能安全监控

佰维高效稳定、高可靠存储，赋能安全监控...

2023-11-28 标签：佰维 269

浅谈DRAM的常用封装技术

目前，AI服务器对HBM（高带宽内存）的需求量越来越大，因为HBM大大缩短了走线距离，从而大幅提升了AI处理器运算速度。HBM经历了几代产品，包括HBM、HBM2、HBM2e和HMB3，最新的HBM3e刚出样品。

2023-11-28 标签：DRAM 封装技术存储芯片 AI处理器 AI服务器 1507

英伟达HBM3e 验证计划2024 Q1完成

HBM4 预计将于 2026 年推出，具有针对英伟达和其他 CSP 未来产品量身定制的增强规格和性能。在更高速度的推动下，HBM4 将标志着其最底部逻辑芯片（基础芯片）首次使用 12 纳米工艺晶圆，由代工厂提供。

2023-11-28 标签：存储芯片 Nand flash 英伟达 emmc HBM HBM3 HBM3E 511

江波龙FORESEE两款存储卡通过树莓派AVL认证，兼容性再...

江波龙FORESEE两款存储卡通过树莓派AVL认证，兼容性再上新高度...

2023-11-24 标签：江波龙 306

世界上首次商用D1Beta一代DRAM的诞生

Micron的D1B DRAM打破了0.4 Gb/mm2的密度壁垒，对提升电子设备性能至关重要，包括移动电话和其他边缘设备。

2023-11-24 标签：DRAM 电子设备 EUV LPDDR5 474

中国大陆主要存储厂商2023Q3及前三季度业绩情况

三星电子在2023Q3实现营收为504.58亿美元，环比增长12.32%，同比下降12.22%。净利润为41.17亿美元，环比增长255.52%，同比下滑39.85%。三星电子表示，伴随存储全行业的减产，行业触底意识不断增强，公司收到了大量采购咨询。

2023-11-22 标签：DRAM 三星电子 cpu HBM DDR5 863

DDR3芯片价格短线急涨近一成？

法人指出，标准型DRAM与NAND芯片目前都由三星、SK海力士、美光等国际大厂主导，台厂在芯片制造端无法与其抗衡，仅模组厂有望以低价库存优势搭上DRAM与NAND芯片市况反弹列车

2023-11-22 标签：DDR3 AI 芯片制造 Nand flash MCP 310

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