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电子发烧友网 > 存储技术 > 业界新闻

存储技术

HBM4为何备受存储行业关注?

当前,生成式人工智能已经成为推动DRAM市场增长的关键因素,与处理器一起处理数据的HBM的需求也必将增长。未来,随着AI技术不断演进,HBM将成为数据中心的标准配置,而以企业应用为重点场景的存储卡供应商期望提供更快的接口。

2023-12-02 标签:DRAMgpu内存SK海力士HBMHBM4 539

长鑫存储LPDDR5正式进军移动终端市场

资料显示,LPDDR是低功耗的DRAM存储器,由DDR内存演化而来。LPDDR的架构和接口针对低功耗应用进行了专门优化,提供更窄的通道宽度、尺寸更小、工作电压更低和支持多种低功耗运行状态。

2023-12-01 标签:DRAMDDRLPDDR长鑫存储LPDDR5 588

长鑫存储推出自主研发的LPDDR5 DRAM存储芯片

长鑫12GB LPDDR5芯片由8个12Gb颗粒封装,这是长鑫存储首款采用层叠封装(Package on Package)的芯片产品。

2023-11-29 标签:DRAM存储芯片长鑫存储LPDDR5 1373

基于玻璃的归档存储新方法

写入驱动器为全机架大小,可同时对多张盘片进行写入;包含多个驱动器的读取驱动器机架也采用相同设计。读写驱动器机架都需要配备冷却、电源和网络连接。

2023-11-29 标签:微软驱动器机器人LDPC 381

佰维高效稳定、高可靠存储,赋能安全监控

佰维高效稳定、高可靠存储,赋能安全监控...

2023-11-28 标签:佰维 381

浅谈DRAM的常用封装技术

目前,AI服务器对HBM(高带宽内存)的需求量越来越大,因为HBM大大缩短了走线距离,从而大幅提升了AI处理器运算速度。HBM经历了几代产品,包括HBM、HBM2、HBM2e和HMB3,最新的HBM3e刚出样品。

2023-11-28 标签:DRAM封装技术存储芯片AI处理器AI服务器 1863

英伟达HBM3e 验证计划2024 Q1完成

HBM4 预计将于 2026 年推出,具有针对英伟达和其他 CSP 未来产品量身定制的增强规格和性能。在更高速度的推动下,HBM4 将标志着其最底部逻辑芯片(基础芯片)首次使用 12 纳米工艺晶圆,由代工厂提供。

2023-11-28 标签:存储芯片Nand flash英伟达emmcHBMHBM3HBM3E 605

江波龙FORESEE两款存储卡通过树莓派AVL认证,兼容性再...

江波龙FORESEE两款存储卡通过树莓派AVL认证,兼容性再上新高度...

2023-11-24 标签:江波龙 471

世界上首次商用D1Beta一代DRAM的诞生

Micron的D1B DRAM打破了0.4 Gb/mm2的密度壁垒,对提升电子设备性能至关重要,包括移动电话和其他边缘设备。

2023-11-24 标签:DRAM电子设备EUVLPDDR5 663

中国大陆主要存储厂商2023Q3及前三季度业绩情况

三星电子在2023Q3实现营收为504.58亿美元,环比增长12.32%,同比下降12.22%。净利润为41.17亿美元,环比增长255.52%,同比下滑39.85%。三星电子表示,伴随存储全行业的减产,行业触底意识不断增强,公司收到了大量采购咨询。

2023-11-22 标签:DRAM三星电子cpuHBMDDR5 1019

DDR3芯片价格短线急涨近一成?

法人指出,标准型DRAM与NAND芯片目前都由三星、SK海力士、美光等国际大厂主导,台厂在芯片制造端无法与其抗衡,仅模组厂有望以低价库存优势搭上DRAM与NAND芯片市况反弹列车

2023-11-22 标签:DDR3AI芯片制造Nand flashMCP 402

RAM和NAND再遇强敌, MRAM被大厂看好的未来之星

目前三星仍然是全球专利第一,2002年三星宣布研发MRAM,2005年三星率先研究STT-MRAM,但是此后的十年间,三星对MRAM的研发一直不温不火,成本和工艺的限制,让三星的MRAM研发逐渐走向低调。

2023-11-22 标签:NANDRAM人工智能机器学习MRAM 684

平头哥SSD主控芯片镇岳510性能分析

镇岳510芯片还针对云计算场景进行了深度优化,芯片与云存储软件系统紧密融合协作,有效降低数据读写的延时,为系统带来了更高的性能。例如,镇岳510在支持NVMe的队列级调度机制的同时,额外实现了更精细、更灵活的IO级调度机制,结合云存储系统,能更好地满足延迟敏感型IO场景的需求。

2023-11-22 标签:芯片云计算SSD主控芯片平头哥 1036

简单介绍全球前五大存储厂商

主流存储芯片海外厂商高度垄断。与逻辑芯片不同,DRAM 和 NAND Flash 等半导体存储器的核心功能为数据存储,存储晶圆的设计及制造标准化程度较高,各晶圆厂同代产品在容量、带宽、稳定性等方面,技术规格趋同。因此头部厂商要通过产能扩大规模化优势及技术持续升级迭代保持竞争力。

2023-11-21 标签:DRAM存储器存储芯片西部数据3d nand 5579

佰维工规级eMMC嵌入式存储 为电力行业提供可靠解决方案

在数字化浪潮的推动下,智能电力设备的应用愈发普及。其中,电力监测网关作为现代电力系统中的核心环节,通过数据采集、传输与分析,实时监控供电系统的运行状况,为电力系统的稳定运行与优化调度提供重要保障。     存储器作为电力网关中数据的承载者,其品质、性能稳定性对于电力监测系统的表现具有决定性作用,进而对整个电力系统的运作产生深刻影响。   那么,当前电力行业在数据存储方向面临着哪些挑战呢?对于电力企业来说,又

2023-11-20 标签:佰维存储 656

新型先进移动芯片LPDDR5T开始供货

“LPDDR5T是最大限度发挥智能手机性能的最佳内存。我们将继续扩大该产品的应用范围,引领移动DRAM领域的换代。”SK海力士在一份声明中表示。随着JEDEC标准化进程进入最后

2023-11-20 标签:DRAM服务器芯片制造人工智能SK海力士 1066

三星和SK海力士差距在哪里?

238 层 NAND 闪存作为世界上最小体积的芯片,生产效率比上一代的 176 层提升了 34%。此产品的数据传输速度为每秒 2.4Gb,号称比上一代的速度快 50%,并且改善了约 20% 的读写性能。

2023-11-20 标签:闪存NAND存储芯片SK海力士三星 952

江波龙首次亮相上海电力展,展示工规级电力存储解决方案

11月15日,江波龙首次亮相上海电力展,展示了其创新的工规级电力存储解决方案。此次展览会吸引了来自世界各地的顶级电力设备制造商和行业专家,共同探讨电力行业的未来发展趋势。     经过二十余年在消费电子、工控、汽车市场的积累,江波龙已具备一定的规模实力和研发优势。该公司推出了多款工规级Flash与DRAM产品,以匹配规模大、技术要求高的电力市场。   在展会上,江波龙展示了其行业类存储品牌FORESEE旗下的工业宽温级/工规级eMMC、工规

2023-11-16 标签:江波龙 408

芯片设计中DRAM类型如何选择

DRAM有多种类型可供选择。有些速度非常快,如HBM,但也很昂贵。其他类型速度较慢,但价格便宜,如基本的DDR DIMM。然而,变化的是,在异构架构中,两者都可以发挥重要作用,以及多种其他DRAM类型和更狭义的存储器,如MRAM或ReRAM。

2023-11-15 标签:DRAMsram芯片设计多路复用器DDR4 857

三星计划全面提高DDR5产量,过去一个月上涨5-10%

英特尔新一代消费型笔电平台 Meteor Lake 预计第四季度问世,搭载的 DRAM 便是由 DDR4 升级为 DDR5。

2023-11-10 标签:芯片内存条RCD3d nandDDR5 674

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