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CGHV35400F1氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-06-16 16:54
产品型号：CGHV35400F1 操作频率：2.9 – 3.5 GHz 典型输出功率：500 W 功率增益：11分贝 典型排水效率：70% 欧姆内部匹配：50 -
CGHV35400F氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-06-16 16:52
产品型号：CGHV35400F 操作频率：2.9 – 3.5 GHz 典型输出功率：500 W 功率增益：11分贝 典型排水效率：70% 欧姆内部匹配：50 -
CGHV35150F-AMP 高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板2022-06-16 16:39
产品型号：CGHV35150F-AMP 额定功率 ：150 W @ TCASE = 85°C 工作频率：2.9 – 3.5 GHz 瞬态占比： 100 μsec – 300 μsec @ 20% 功率增益：13.5 dB @TCASE = 85°C 典型漏极效率：50 % @TCASE = 85°C -
CGHV35150F 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-06-16 16:37
产品型号：CGHV35150F 额定功率：150 W 工作频率 ：2.9 – 3.5 GHz 瞬态占比： 100 μsec – 300 μsec @ 20% 功率增益：13.5 dB 典型漏极效率：50 % -
CGHV35150P高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-06-16 16:35
产品型号：CGHV35150P 额定功率：150 W @ TCASE = 85°C 工作频率：2.9 – 3.5 GHz 瞬态占比： 100 μsec – 300 μsec @ 20% 功率增益：13.5 dB 典型漏极效率：50 % -
CGHV31500F1-AMP氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板2022-06-16 16:13
产品型号：CGHV31500F1-AMP 操作频率：2.7 – 3.1 GHz 典型输出功率：650 W 功率增益：12分贝 典型排水效率：65% 欧姆内部匹配：50 -
CGHV31500F1氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-06-16 16:11
产品型号：CGHV31500F1 操作频率：2.7 – 3.1 GHz 典型输出功率：650 W 功率增益：12分贝 典型排水效率：65% 欧姆内部匹配：50 -
CGHV31500F-AMP氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板2022-06-16 16:09
产品型号：CGHV31500F-AMP 操作频率：2.7 – 3.1 GHz 典型输出功率：650 W 功率增益：12分贝 典型排水效率：65% 欧姆内部匹配：50 -
CGHV31500F氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-06-16 16:07
产品型号：CGHV31500F 操作频率：2.7 – 3.1 GHz 典型输出功率：650 W 功率增益：12分贝 典型排水效率：65% 欧姆内部匹配：50 -
ADM2582E 信号和电源隔离 RS-485 接口收发器 ADI品牌2022-06-16 14:24
产品型号：ADM2582E 数据速率：16 Mbps 工作电压：5 V或3.3 V 总线最多支持：256个节点连接 高共模瞬变抗扰度：>25 kV/μs 工作温度范围：−40°C至+85°C