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立年电子科技

射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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立年电子科技产品

  • C3M0120065K碳化硅MOSFET2022-05-21 22:04

    产品型号:C3M0120065K 漏源电压:650V 栅极 - 源极电压:-8/+19V 脉冲漏极电流:51A 功耗:86W 工作结温和存储温度:-40 to +175˚C
  • C3M0120065J碳化硅MOSFET2022-05-21 21:54

    产品型号:C3M0120065J 漏源电压:650V 栅极 - 源极电压:-8/+19V 脉冲漏极电流:51A 功耗:86W 工作结温和存储温度:-40 to +175˚C
  • PC3M0120065L碳化硅MOSFET2022-05-21 21:44

    产品型号:PC3M0120065L 漏源电压:650V 栅极 - 源极电压:-8/+19V 脉冲漏极电流:51A 功耗:98W 工作结温和存储温度:-40 to +175˚C
  • C3M0120065D碳化硅MOSFET2022-05-21 21:40

    产品型号:C3M0120065D 漏源电压:650V 栅极 - 源极电压:-8/+19V 脉冲漏极电流:51A 功耗:98W 工作结温和存储温度:-40 to +175˚C
  • C3M0060065J碳化硅MOSFET2022-05-21 18:00

    产品型号:C3M0060065J 漏源电压:650A 栅极 - 源极电压:-8/+19V 脉冲漏极电流:99A 功耗:136W 工作结温和存储温度:-40 to +175˚C
  • C3M0060065D碳化硅MOSFET2022-05-21 17:52

    产品型号:C3M0060065D 漏源电压:650A 栅极 - 源极电压:-8/+19V 脉冲漏极电流:99A 功耗:150W 工作结温和存储温度:-40 to +175˚C
  • C3M0060065K碳化硅MOSFET2022-05-21 17:40

    产品型号:C3M0060065K 漏源电压:650A 栅极 - 源极电压:-8/+19V 脉冲漏极电流:99A 功耗:150W 工作结温和存储温度:-40 to +175˚C
  • PC3M0060065L碳化硅MOSFET2022-05-21 17:01

    产品型号:PC3M0060065L 漏源电压:650A 栅极 - 源极电压:-8/+19V 脉冲漏极电流: 限制:99A 功耗:150W 工作结温和存储温度:-40 to +175˚C
  • C3M0045065K碳化硅MOSFET2022-05-21 16:51

    产品型号:C3M0045065K 漏源电压:650A 栅极 - 源极电压:-8/+19V 脉冲漏极电流:限制:132A 功耗:C:176W 工作结温和存储温度:-40 to +175˚C
  • C3M0045065D碳化硅MOSFET2022-05-21 16:42

    产品型号:C3M0045065D 漏源电压:650A 栅极 - 源极电压:-8/+19V 脉冲漏极电流:132A 功耗:C:176W 工作结温和存储温度:-40 to +175˚C