产品
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CGH27030P高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-05-25 10:54
产品型号：CGH27030P 操作频率：VHF – 3.0 GHz 操作 峰值功率能力：30 W 峰值功率能力 小信号增益：> 15 dB 小信号增益 排水效率：> 28% 排水效率 -
CGH25120F高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-05-25 10:45
产品型号：CGH25120F 频率：2.3 – 2.7 GHz 操作 增益：13分贝增益 PAVE功率：20 W PAVE 时 -32 dBc ACLR PAVE效率：20 W PAVE 时效率为 30 % 应用特性：可应用高度 DPD 校正 -
CGH21240F-AMP高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板2022-05-25 10:32
产品型号：CGH21240F-AMP 频率：1.8 – 2.3 GHz 操作 增益：15分贝增益 PAVE功率：40 W PAVE 时 -35 dBc ACLR PAVE效率：40 W PAVE 时效率为 33% 应用特性：可应用高度 DPD 校正 -
CGH21240F氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-05-25 10:30
产品型号：CGH21240F 频率：1.8 – 2.3 GHz 操作 增益：15分贝增益 功率：40 W PAVE 时 -35 dBc ACLR PAVE效率：40 W PAVE 时效率为 33% 应用特点：可应用高度 DPD 校正 -
CGH21120F-AMP高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板2022-05-25 10:16
产品型号：CGH21120F-AMP 频率：1.8 – 2.3 GHz 操作 增益：15分贝增益 功率：-35 dBc ACLR，20 W PAVE PAVE效率：20 W PAVE 时效率为 35 % 应用：可应用高度 DPD 校正 -
CGH21120F高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-05-25 10:13
产品型号：CGH21120F 频率：1.8 – 2.3 GHz 操作 增益：15分贝增益 功率：-35 dBc ACLR，20 W PAVE PAVE效率：20 W PAVE 时效率为 35 % 应用：可应用高度 DPD 校正 -
CGH09120F高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-05-25 10:00
产品型号：CGH09120F 频率：UHF – 2.5 GHz 操作 增益：21分贝增益 功率：-38 dBc ACLR，20 W PAVE PAVE效率：20 W PAVE 时效率为 35 % 适用于：可应用高度 DPD 校正 -
CG2H80120D-GP4高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-05-25 09:47
产品型号：CG2H80120D-GP4 PSAT功率：120 W 典型 PSAT 操作电压：28 伏操作 电压：高击穿电压 环境：高温操作 频率：高达 8 GHz 的操作 -
CG2H80060D-GP4高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-05-25 09:33
产品型号：CG2H80060D-GP4 PSAT功率：60 W 典型 PSAT 操作电压：28 伏操作 电压：高击穿电压 环境：高温操作 频率：高达 8 GHz 的操作 -
C3M0160120J碳化硅MOSFET2022-05-24 22:35
产品型号：C3M0160120J 漏源电压：1200V 栅极-源极电压动态：-8/+19V 栅极-源极电压静态：-4/+15V 脉冲漏极电流：34A 功耗：90W