产品
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C3M0045065J1碳化硅MOSFET2022-05-21 16:32
产品型号：C3M0045065J1 漏源电压：650A 栅极 - 源极电压：-8/+19V 脉冲漏极电流：限制：132A 功耗：C:147W 工作结温和存储温度：-40 to +150˚C -
PC3M0045065L碳化硅MOSFET2022-05-21 16:29
产品型号：PC3M0045065L 漏源电压：650A 栅极 - 源极电压：-8/+19V 脉冲漏极电流：132A 功耗：C:147W 工作结温和存储温度：-40 to +150˚C -
C3M0025065K碳化硅MOSFET2022-05-21 16:01
产品型号：C3M0025065K 漏源电压：650A 栅极 - 源极电压：-8/+19V 脉冲漏极电流：251A 功耗：326W 工作结温和存储温度：-40 to +175˚C -
C3M0015065K碳化硅MOSFET2022-05-21 11:41
产品型号：C3M0015065K 漏源电压：650V 栅极 - 源极电压：-8/+19V 脉冲漏极电流，脉冲宽：418A 功耗，TC=25˚C：416W 工作结温和存储温度：-40 to +175˚C -
C3M0015065D碳化硅MOSFET2022-05-21 11:12
产品型号：C3M0015065D 漏源电压：650V 栅极 - 源极电压：-8/+19V 脉冲漏极电流，脉冲宽：418A 功耗，TC=25˚C：416W 工作结温和存储温度：40 to +175˚C -
CG2H40025F-AMP高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板2022-05-20 11:44
产品型号：CG2H40025F-AMP 频率：高达 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 时 17 dB 小信号增益 增益：4.0 GHz 时 15 dB 小信号增益 PSAT功率：30 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 70% 的效率 -
CG2H40025P高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-05-20 11:42
产品型号：CG2H40025P 频率：高达 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 时 17 dB 小信号增益 增益：4.0 GHz 时 15 dB 小信号增益 PSAT功率：30 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 70% 的效率 -
CG2H40025F高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-05-20 11:40
产品型号：CG2H40025F 频率：高达 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 时 17 dB 小信号增益 增益：4.0 GHz 时 15 dB 小信号增益 PSAT功率：30 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 70% 的效率 -
CG2H30070F-AMP2高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板2022-05-20 11:16
产品型号：CG2H30070F-AMP2 应用电路：0.5 – 3.0 GHz 应用电路 功率：28 V 时 POUT 典型值为 85 W 增益：10分贝功率增益 排水效率：58% 排水效率 -
CG2H30070F高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-05-20 11:13
产品型号：CG2H30070F 应用电路：0.5 – 3.0 GHz 应用电路 功率：28 V 时 POUT 典型值为 85 W 增益：10分贝功率增益 排水效率：58% 排水效率 匹配：内部匹配