产品
-
AM30N10-70D-T1-PF-VB-TO252封装N沟道MOSFET2023-11-08 16:32
产品型号：AM30N10-70D-T1-PF-VB 类型 ：N沟道 工作电压： 100V 额定电流： 40A 开通电阻： 30mΩ（10V）、31mΩ（4.5V） 门源电压范围 ： ±20V -
WNM2016-3/TR-VB-SOT23封装N沟道MOSFET2023-11-08 16:21
产品型号：WNM2016-3/TR-VB 工作电压 ： 20V 额定电流： 6A RDS(ON)：4.5V时为24mΩ，2.5V时为33mΩ 阈值电压： 8Vgs(±V) 阈值电压范围 ： 0.45V至1Vth -
MI3407-VB-SOT23封装沟道MOSFET2023-11-08 16:05
产品型号：MI3407-VB 额定电压 ： -30V 额定电流： -5.6A RDS(ON) ： 47mΩ@10V, 56mΩ@4.5V 额定门源电压范围：(20Vgs(±V)) 阈值电压：(-1Vth(V)) -
IRLR024NTRPBF-VB-TO252封装 N沟道MOSFET2023-11-08 15:58
产品型号：IRLR024NTRPBF-VB 额定电压 ： 60V 额定电流 ： 18A 导通电阻 ： 73mΩ @ 10V, 85mΩ @ 4.5V 额定栅极源极电压：20Vgs (±V) 阈值电压： 2Vth (V) -
ISL9N310AD3ST-VB-TO252封装N沟道MOSFET2023-11-08 15:51
产品型号：ISL9N310AD3ST-VB 额定电压（Vds： 30V 额定电流（Id）： 60A 静态导通电阻： 10mΩ @ 10V,11mΩ @ 4.5V, 20Vgs 阈值电压（Vth： 1.6V 封装类型 ： TO252 -
20N03-VB-TO252封装N沟道MOSFET2023-11-08 11:53
产品型号：20N03-VB 类型 ： N沟道场效应管 额定电压 ： 30V 额定电流： 70A RDS(ON)： 7mΩ@10V, 9mΩ@4.5V 门源电压 ： 20Vgs(±V) -
IPD036N04LG-VB-TO252封装N沟道MOSFET2023-11-08 11:43
产品型号：IPD036N04LG-VB 最大额定电压： 40V 最大额定电流： 85A RDS(ON) ： 4mΩ @ 10V, 5mΩ @ 4.5V, 门阈电压： 1.85V 封装类型： TO252 -
SSC8035GS6-VB-SOT23封装P沟道MOSFET2023-11-08 11:33
产品型号：SSC8035GS6-VB 最大耐压： -30V 最大漏极电流 ： -5.6A 漏极-源极电阻 ： 47mΩ @ 10V、56mΩ @ 4.5V 最大栅极源极电压： ±20V 阈值电压： -1V -
SSM3K301T-VB-SOT23封装N沟道MOSFET2023-11-08 11:24
产品型号：SSM3K301T-VB 类型 ： N沟道 工作电压： 20V 额定电流： 6A RDS(ON)：24mΩ @ 4.5V, 33mΩ @ 2.5V 门压范围 ： 8Vgs (±V) -
2SK3105-T1B-A-VB-SOT23封装N沟道MOSFET2023-11-08 11:12
产品型号：2SK3105-T1B-A-VB 最大耐压：30V 最大电流：6.5A RDS(ON)：30mΩ@10V,33mΩ@4.5V 栅极电压范围： 1.2~2.2Vth(V) 封装类型：SOT23