产品
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SI2308DS-T1-GE3-VB-SOT23封装 P沟道MOSFET2023-10-27 16:38
产品型号：SI2308DS-T1-GE3-VB 频道类型 ：N沟道 额定电压： 60V 额定电流 ：4A RDS(ON)： 85mΩ @ 10V，96mΩ @ 4.5V 门源阈值电压范围： 1V~3V -
APM2301CAC-TRL-VB-SOT23封装P沟道MOSFET2023-10-27 16:28
产品型号：APM2301CAC-TRL-VB 频道类型 ：P沟道 额定电压： -20V 额定电流： -4A RDS(ON)： 57mΩ @ 4.5V，83mΩ @ 2.5 门源阈值电压： -0.81V -
NTR4501NT1G-VB-SOT23封装N沟道MOSFET2023-10-27 16:18
产品型号：NTR4501NT1G-VB 频道类型 ：N沟道 额定电压： 20V 额定电流 ：6A RDS(ON)： 24mΩ @ 4.5V，33mΩ @ 2.5V 门源阈值电压： 0.45V~1V -
APM2317AC-TRL-VB-SOT23封装p沟道MOSFET2023-10-27 16:05
产品型号：APM2317AC-TRL-VB 频道类型： P沟道 额定电压： -20V 额定电流： -4A RDS(ON)： 57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V 门源阈值电压： -0.81V -
SiA400EDJ-T1-GE3-VB-DFN6(2X2)封装P沟道MOSFET2023-10-27 15:55
产品型号：SiA400EDJ-T1-GE3-VB 最大耐压： 30V 最大漏极电流： 5.8A 导通时的电阻（RDS： 22mΩ@10V, 28mΩ@4.5V 栅极电压：（Vgs）范围 ±20V 阈值电压（Vth）： 1.2V -
IRF9530NPBF-VB-TO220封装沟道mosfet2023-10-27 15:44
产品型号：IRF9530NPBF-VB 最大耐压 ：-100V 最大漏极电流： -18A 导通时的电阻：（RDS(ON)） 167mΩ@10V, 178 栅极电压：（Vgs）范围 ±20V 阈值电压：（Vth） -1.6V -
MT2300ACTR-VB_MOSFET产品应用与参数解析2023-10-27 15:35
产品型号：MT2300ACTR-VB 最大耐压 ：20V 最大漏极电流： 6A 导通时的电阻：（RDS(ON)） 24mΩ@4.5V, 33mΩ@2.5V 栅极电压（Vgs）： ±8V 阈值电压（Vth）： 0.45V至1V -
SUD50P04-09L-E3-VB-TO252封装P沟道MOSFET2023-10-27 15:20
产品型号：SUD50P04-09L-E3-VB 最大耐压：-40V 最大漏极电流：-65 导通时的电阻：10mΩ@10V, 13mΩ@4.5V 栅极电压（Vgs）范：±20V 封装： TO252 -
ZXMN6A07ZTA-VB-SOT89-3封装N沟道mosfet2023-10-27 10:30
产品型号：ZXMN6A07ZTA 类型：N沟道 导通电阻：76mΩ@10V，88mΩ@4.5V 门源电压：20V(±V) 阈值电压：1~3V 封装：SOT89-3 -
WPM2015-3/TR-VB-SOT23封装P沟道mosfet2023-10-27 10:15
产品型号：WPM2015-3/TR-VB 类型：P沟道 电压： -20V 电阻： 57mΩ@4.5V, 83mΩ@2.5V 封装：SOT23