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TPC6111-VB一款SOT23-6封装MOSFET参数应用解析2023-10-28 10:03
产品型号：TPC6111-VB 频道类型： P沟道 额定电压：-30V 额定电流： -4.8A RDS(ON)： 49mΩ @ 10V，54mΩ @ 4.5V 封装类型： SOT23-6 -
SI1967DH-T1-GE3-VB-SC70-6封装 2个P沟道MOSFET2023-10-28 09:49
产品型号：SI1967DH-T1-GE3-VB 极性： 2个P沟道 额定电压： -20V 额定电流： -1.5A 导通电阻 ：230mΩ @ 4.5V, 276mΩ @ 2.5 封装类型： SC70-6 -
DMN3024LSD-13-VB-SOP8封装沟道MOSFET2023-10-28 09:43
产品型号：DMN3024LSD-13-VB 频道类型： 2个N沟道 额定电压： 额定电压 30V 额定电流 ：额定电流 8.5A RDS(ON)： 20mΩ @ 10V，12mΩ @ 4.5 门源电压范围： ±20V -
BSN20-VB-SOT23封装N沟道MOSFET2023-10-28 09:33
产品型号：BSN20-VB 类型：N沟道 最大耐压：60V 最大电流： 0.3A 导通电阻 ：2800mΩ @10V, 3000mΩ @4.5v 门源电压： 20Vgs -
NDT3055L-VB-SOT223封装N沟道MOSFET2023-10-27 17:38
产品型号：NDT3055L-VB 极性： N沟道 额定电压 ：60V 额定电流： 4A 导通电阻： 76mΩ @ 10V, 85mΩ @ 4.5V 门源电压 ：20Vgs (±V) -
NTR4171PT1G-VB-SOT23封装沟道MOSFET2023-10-27 17:27
产品型号：NTR4171PT1G-VB 频道类型： P沟道 额定电压： -30V 额定电流： -5.6A RDS(ON)： 47mΩ @ 10V，56mΩ @ 4.5v 门源电压范围： ±20V -
SI2324DS-T1-GE3-VB-SOT23封装N沟道MOSFET2023-10-27 17:18
产品型号：SI2324DS-T1-GE3-VB 类型： N沟道 最大耐压 ：100V 最大电流： 2A 导通电阻： 246mΩ @10V, 260mΩ @4.5V 门源电压 ：20Vgs -
FDC5661N-VB-SOT23-6封装N沟道MOSFET2023-10-27 17:10
产品型号：FDC5661N-VB 极性： N沟道 额定电压 ：60V 导通电阻： 30mΩ @ 10V, 35mΩ @ 4.5V 门源电压： 20Vgs (±V) 阈值电压： 1~3Vth (V) -
AO4800-VB-SOP8封装2个N沟道MOSFET2023-10-27 16:58
产品型号：AO4800-VB 频道类型 ：2个N沟道 额定电压： 30V 额定电流： 6.8A（最大值）、6.0A（典型值） RDS(ON)： 22mΩ @ 10V，26mΩ @ 4.5V 门源电压范围： ±20V -
AOD444-VB-TO252封装N沟道MOSFET2023-10-27 16:49
产品型号：AOD444-VB 额定电压： 60V 额定电流： 18A 导通电阻 ：73mΩ @ 10V, 85mΩ @ 4.5V 门源电压： 20Vgs (±V) 阈值电压 ：2Vth (V)