产品
-
HM8810A-VB-SOT23-6封装2个沟道MOSFET2023-10-30 13:51
产品型号：HM8810A-VB 类型： 2个N沟道 最大耐压 ：20V 最大电流： 6A 导通电阻 ：24mΩ @4.5V, 28mΩ @2.5V 门源电压： 20Vgs (±V) -
KD2301-VB-SOT23封装沟道MOSFET2023-10-30 13:42
产品型号：KD2301-VB 类型： P沟道 最大耐压 ：20V 最大漏极电流： 4A 导通时的电阻：（RDS(ON)） 57mΩ@4.5V, 83m 栅极电压（Vgs）范： ±12V -
HM3401PR-VB-SOT89-3封装P沟道MOSFET2023-10-30 11:55
产品型号：HM3401PR-VB 频道类型 ：P沟道 额定电压： 30V 额定电流 ：5.8A RDS(ON) ：50mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5 门源电压范围： ±20V -
FDC6306P-VB-SOT23-6封装2个P沟道MOSFET2023-10-30 11:44
产品型号：FDC6306P-VB 极性： 2个P沟道 额定电压 ：20V 额定电流 ：4A 导通电阻 ：75mΩ @ 4.5V, 100mΩ @ 2.5V 门源电压： 12Vgs (±V) -
APM3048ADU4-VB-TO252-5封装N+P沟道MOSFET2023-10-30 11:32
产品型号：APM3048ADU4-VB 类型： N+P沟道 最大耐压： ±60V 最大电流 ：35A/18A 导通电阻 ：38mΩ/58mΩ @10V, 45mΩ/70mΩ 门源电压： 20Vgs (±V) -
IRF7470TRPBF-VB-SOP8封装N沟道MOSFET2023-10-30 11:24
产品型号：IRF7470TRPBF-VB 类型： N沟道 最大耐压： 40V 最大漏极电流： 10A RDS(ON)）： 14mΩ@10V, 16mΩ@4.5V 封装： SOP8 -
AP2303GN-VB-SOT23封装P沟道MOSFET2023-10-30 11:14
产品型号：AP2303GN-VB 频道类型： P沟道 额定电压： 30V 额定电流 ：5.6A RDS(ON)： 47mΩ @ 10V，56mΩ @ 4.5V 门源电压范围： ±20V -
IRFR4620TRPBF-VB-TO252封装N沟道MOSFET2023-10-30 11:06
产品型号：IRFR4620TRPBF-VB 极性： N沟道 额定电压： 200V 额定电流 ：25A 导通电阻： 54mΩ @ 10V, 112mΩ @ 4.5V 门源电压： 20Vgs (±V) -
CPH3427-TL-E-VB-SOT23封装沟道MOSFET2023-10-30 10:55
产品型号：CPH3427-TL-E-VB 类型： N沟道 最大耐压： 100V 最大电流 ：2A 导通电阻： 246mΩ @10V, 260mΩ @4.5V 门源电压： 20Vgs (±V) -
50N04-VB-TO252封装N沟道MOSFET2023-10-30 10:47
产品型号：50N04-VB 类型 ：N沟道 最大耐压： 40V 最大电流： 85A 导通电阻 ：4mΩ @10V, 5mΩ @4.5V 门源电压： 20Vgs (±V)