产品
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FDC3512-VB-SOT23-6封装N沟道MOSFET2023-10-31 10:23
产品型号：FDC3512-VB 类型： N沟道 最大耐压： 100V 最大电流： 3.2A 导通电阻： 100mΩ @10V, 127mΩ @4.5V 门源电压 ：20Vgs (±V) -
IRF540NSTRPBF-VB-TO263封装N沟道MOSFET2023-10-31 10:12
产品型号：IRF540NSTRPBF-VB 类型： N沟道 最大耐压 ：100V 最大漏极电流：45A 导通时的电阻：（RDS(ON)） 32mΩ@10V, 34mΩ4.5V 栅极电压（Vgs）范： ±20V -
BSS84-7-F-VB-SOT23封装P沟道MOSFET2023-10-31 10:03
产品型号：BSS84-7-F-VB 频道类型： P沟 额定电压： 60V 额定电流： 0.5A RDS(ON) ：3000mΩ @ 10V，3680mΩ @ 4.5V 门源电压范围： ±20V -
CED12N10-VB-TO251封装N沟道MOSFET2023-10-30 16:06
产品型号：CED12N10-VB 极性 ：N沟道 额定电压： 100V 额定电流 ： 15A 导通电阻 ：115mΩ @ 10V, 120mΩ @ 4.5V 门源电压 ：20Vgs (±V) -
AO4407A-VB-SOP8封装P沟道MOSFET2023-10-30 15:56
产品型号：AO4407A-VB 类型： P沟道 最大耐压： 30V 最大电流： 7A 门源电压： 20Vgs (±V) 门阈电压： 1.37Vth -
IRF7240TRPBF-VB-SOP8封装P沟道MOSFET2023-10-30 15:43
产品型号：IRF7240TRPBF-VB 类型： P沟道 最大耐压： 40V 最大漏极电流： 11A RDS(ON)）： 13mΩ@10V, 17mΩ@4.5V 栅极电压（Vgs）范： ±20V -
CEM4435-VB-SOP8封装P沟道MOSFET2023-10-30 15:33
产品型号：CEM4435-VB 频道类型：P沟道 额定电压： 30V 额定电流： 7A 门源电压范围： ±20V 门源阈值电压 ：1.37V -
NTS2101PT1G-VB-SC70-3封装P沟道MOSFET2023-10-30 15:25
产品型号：NTS2101PT1G-VB 极性： P沟道 额定电压： 20V 额定电流： 3A 导通电阻 ：98mΩ @ 4.5V, 117.6mΩ @ 2.5V 门源电压： 12Vgs (±V) -
2SJ668-VB-TO252封装P沟道MOSFET2023-10-30 15:13
产品型号：2SJ668-VB 类型： P沟道 最大耐压： 60V 最大电流：38A 导通电阻： 61mΩ @10V, 72mΩ @4.5V 门源电压： 20Vgs (±V) -
2SK4033-VB-TO252封装N沟道MOSFET2023-10-30 15:04
产品型号：2SK4033-VB 类型 ：N沟道 最大耐压： 60V 最大漏极电流： 18A 导通时的电阻（RDS： 73mΩ@10V, 85mΩ4.5V 栅极电压（Vgs）：范围 ±20V