产品
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SSC8035GS6-VB-SOT23封装P沟道MOSFET2023-11-08 11:33
产品型号：SSC8035GS6-VB 最大耐压： -30V 最大漏极电流 ： -5.6A 漏极-源极电阻 ： 47mΩ @ 10V、56mΩ @ 4.5V 最大栅极源极电压： ±20V 阈值电压： -1V -
SSM3K301T-VB-SOT23封装N沟道MOSFET2023-11-08 11:24
产品型号：SSM3K301T-VB 类型 ： N沟道 工作电压： 20V 额定电流： 6A RDS(ON)：24mΩ @ 4.5V, 33mΩ @ 2.5V 门压范围 ： 8Vgs (±V) -
2SK3105-T1B-A-VB-SOT23封装N沟道MOSFET2023-11-08 11:12
产品型号：2SK3105-T1B-A-VB 最大耐压：30V 最大电流：6.5A RDS(ON)：30mΩ@10V,33mΩ@4.5V 栅极电压范围： 1.2~2.2Vth(V) 封装类型：SOT23 -
AM2358N-T1-PF-VB-SOT23封装N沟道MOSFET2023-11-08 11:03
产品型号：AM2358N-T1-PF-VB 额定电压： 60V 额定电流： 4A 导通电阻 ： 85mΩ（在10V下），96mΩ（在4.5V下） 额定输入电压 ： 20Vgs（±V） 阈值电压： 1~3Vth -
DMG3415U-7-F-VB-SOT23封装P沟道MOSFET2023-11-08 10:54
产品型号：DMG3415U-7-F-VB 额定工作电压 ：-30V 额定工作电流 ：-5.6A 导通电阻： 47mΩ @10V, 56mΩ @4.5V 门源电压范围： ±20Vgs 阈值电压： -1Vth -
IRFR4104TRPBF-VB-TO252封装沟道MOSFET2023-11-08 10:43
产品型号：IRFR4104TRPBF-VB 工作电压：40V 最大漏极电流：85A RDS(ON)：10V时为4mΩ，在4.5V时为5mΩ Vgs(th)：1.85V -
SPP3407DS23RGB-VB-SOT23封装P沟道MOSFET2023-11-08 10:29
产品型号：SPP3407DS23RGB-VB 电源电压（Vds）： -30V 电流（Id）： -5.6A RDS(ON）：47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V 硅门压（Vgs(： 20V 硅门阈值电压（V： -1V -
NTD24N06LT4G-VB-TO252封装N沟道MOSFET2023-11-08 10:20
产品型号：NTD24N06LT4G-VB 极性 ： N沟道 额定电压 ： 60V 额定电流： 45A 漏电阻 ： 24mΩ@10V，28mΩ@4.5V 门源电压 ： 20Vgs(±V) -
PMN50XP-VB-SOT23-6封装P沟道MOSFET2023-11-07 17:23
产品型号：PMN50XP-VB 沟道类型 ： P沟道 工作电压 ： -30V 工作电压 ： -30V 门极电压范围 ： 20Vgs (±V) 阈值电压范围： -1~-3Vth(V) -
SI2309DS-T1-GE3-VB-SOT23封装P沟道MOSFET2023-11-07 17:12
产品型号：SI2309DS-T1-GE3-VB 沟道类型： P沟道 额定电流： -5.2A 开通电阻 ： 40mΩ @ 10V, 48mΩ @ 4.5 门源极电压： 20Vgs (±V) 阈值电压： -2Vth (V)