产品
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IRFU014PBF-VB-TO251封装N沟道MOSFET2023-11-11 17:30
产品型号：IRFU014PBF-VB 类型 ： N沟道 额定电压： 60V 最大持续电流：25A 导通电阻：32mΩ @ 10V 门源电压范围： 20V（正负） -
AOD464-VB-TO252封装N沟道MOSFET2023-11-11 17:18
产品型号：AOD464-VB 沟道类型 ： N沟道 额定电压： 100V 静态导通电阻：30mΩ @ 10V, 31mΩ @ 4.5V 门源电压： ±20V 阈值电压： 1.8V -
NDS351AN-NL-VB-SOT23封装N沟道MOSFET2023-11-11 17:10
产品型号：NDS351AN-NL-VB 沟道类型： N沟道 最大耐压 ： 30V 最大持续电流 ： 6.5A 开通电阻： 30mΩ @ 10Vgs、33mΩ @ 4.5Vgs 阈值电压：1.2V 到 2.2V -
FDC6506P-VB-SOT23-6封装2个P沟道MOSFET2023-11-11 17:00
产品型号：FDC6506P-VB 极性 ： 2个P沟道 额定电压：-20V 额定电流： -4A 静态导通电阻： 75mΩ @ 4.5V, 100mΩ @ 2.5V 门源极电压： ±12V -
SI2356DS-T1-GE3-VB-SOT23封装 N沟道MOSFET2023-11-11 13:36
产品型号：SI2356DS-T1-GE3-VB 沟道类型： N沟道 额定电压 ： 30V 最大电流： 6.5A 静态导通电阻：30mΩ @ 10V, 33mΩ @ 4.5V 门源电压：±20V -
TN0200K-T1-E3-VB-SOT23封装N沟道MOSFET2023-11-11 11:53
产品型号：TN0200K-T1-E3-VB 类型 ：N沟道 最大耐压： 20V 最大电流： 6A 静态开启电阻：24mΩ @ 4.5V, 33mΩ @ 2.5V 门源极电压 ： 8V (±V) -
2N7002ET1G-VB-SOT23封装沟道MOSFET2023-11-11 11:43
产品型号：2N7002ET1G-VB 沟道类型 ： N沟道 最大耐压： 60V 最大持续电流 ：0.3A 开通电阻：2800mΩ @ 10Vgs、3000mΩ @ 4.5Vgs 阈值电压： 1.6V -
STB30NF20-VB-TO263封装N沟道MOSFET2023-11-11 11:34
产品型号：STB30NF20-VB 类型 ：N沟道 额定电压： 200V 最大持续电流（I： 40A 导通电阻： 48mΩ @ 10V 门源电压范围：20V（正负） -
FQD6N40CTM-VB-TO252封装N沟道MOSFET2023-11-11 11:24
产品型号：FQD6N40CTM-VB 沟道类型： N沟道 最大耐压 ：650V 最大持续电流： 7A 开通电阻：700mΩ @ 10Vgs 阈值电压：3.5V -
NTD12N10-1G-VB-TO251封装N沟道MOSFET2023-11-11 11:14
产品型号：NTD12N10-1G-VB 极性 ： N沟道 额定电压：100V 额定电流： 15A 静态导通电阻：115mΩ @ 10V, 120mΩ @ 4.5V 门源极电压： -20V 至 20V