产品
-
AOD417-VB-TO252封装P沟道MOSFET2023-11-09 17:23
产品型号：AOD417-VB 极性： P沟道 最大耐压 ：-30V 最大电流：-40A 导通电阻 ：18mΩ（在10V电压下），25mΩ（在4.5V电压下） 额定电压：20Vgs -
AM2308N-T1-PF-VB-SOT23封装N沟道MOSFET2023-11-09 17:13
产品型号：AM2308N-T1-PF-VB 电压：30V 电流：6.5A RDS(ON)：10V下为30mΩ 4.5V下为33mΩ 门源极电压范围：20V 类型：N沟道 -
CEA3252-VB-SOT89-3封装N沟道MOSFET2023-11-09 17:01
产品型号：CEA3252-VB 类型：N沟道 额定电压 ：30V 额定电流：6.8A 开通电阻 ： 33mΩ @ 10V, 45mΩ @ 4.5V 阈值电压： 0.9V -
AO3442-VB-SOT23封装N沟道MOSFET2023-11-09 16:53
产品型号：AO3442-VB 管脚类型： N沟道 额定电压： 100V 额定电流 ： 2A 开态电阻 ： 246mΩ @ 10V, 260mΩ @ 4.5V 门源电压范围 ： 20Vgs (±V) -
MTD20N03HDLT4G-VB-TO252封装N沟道MOSFET2023-11-09 16:43
产品型号：MTD20N03HDLT4G-VB 类型： N沟道 额定电压： 30V 额定电流： 70A 开通电阻： 7mΩ @ 10V, 9mΩ @ 4.5V 门源极电压： ±20Vgs -
AO3421E-VB-SOT23封装沟道MOSFET2023-11-09 16:33
产品型号：AO3421E-VB 型号： AO3421E-VB 丝印： VB2355 品牌 ： VBsemi 类型 ：P沟道场效应管 最大漏极电压： -30V -
SUD08P06-155L-E3-VB-TO252封装P沟道MOSFET2023-11-09 16:24
产品型号：SUD08P06-155L-E3-VB 沟道类型： P沟道 额定电压 ： -60V 额定电流： -38A 导通电阻： 61mΩ（在10V下） 72mΩ（在4.5V） 门源极电压： 20V（正负） -
15N10 TO252-VB-TO252封装N沟道MOSFET2023-11-09 16:15
产品型号：15N10 沟道类型：N沟道 额定电压：100V 额定电流：18A 静态电阻： 115mΩ @ 10V, 121mΩ @ 4.5V 门源极电压 ：±20V -
SQD40P10-40L-GE3-VB-TO252封装P沟道MOSFET2023-11-09 16:05
产品型号：SQD40P10-40L-GE3-VB 功能类型： P沟道 最大电压： -100V 最大电流： -40A 开通电阻 ： 33mΩ @ 10V，36mΩ @ 4.5 栅源电压： ±20V -
IPD30N06S2L-13-VB-TO252封装N沟道MOSFET2023-11-09 15:55
产品型号：IPD30N06S2L-13-VB 电压： 60V 电流：45A 开启电阻：24mΩ @ 10V, 28mΩ @ 4.5V 阈值电压：1.8V 封装形式： TO252