--- 产品参数 ---
- 封装 SOT89-3
- 沟道 P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
RQJ0301HGDQS-VB 是 VBsemi 公司生产的 P-Channel 沟道 MOSFET,具有以下参数:
- 最大承受电压:-30V
- 最大漏极电流:-5.8A
- 漏极-源极电阻:50mΩ @ VGS=10V
- 阈值电压:-0.6~-2V
- 封装形式:SOT89-3
![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B6/F7/wKgZomV6WqeAHBL9AAFYOyJhEXk156.png)
产品简介:
RQJ0301HGDQS-VB 是一款性能稳定可靠的 P-Channel 沟道 MOSFET,适用于各种电路中的功率开关和电源管理应用。其优秀的电气特性和高效率的工作性能,使其成为广泛应用于各种领域的理想选择。
详细参数说明:
1. 最大承受电压(VDS):-30V
2. 最大漏极电流(ID):-5.8A
3. 漏极-源极电阻(RDS(ON)):50mΩ @ VGS=10V
4. 阈值电压(Vth):-0.6~-2V
5. 封装形式:SOT89-3
适用领域和模块举例:
该型号的 MOSFET 可以广泛应用于以下领域和模块:
1. 电源管理模块:用于稳压和开关电源中的功率开关;
2. 便携式电子产品:如平板电脑、智能手机等的电源管理模块;
3. LED 照明驱动器:用于 LED 灯具的电流控制和调光功能;
4. 车载电子系统:如汽车音响系统、车载导航系统等的电源开关控制模块;
5. 工业控制系统:用于工业自动化设备的电源开关控制和驱动。
这些示例说明了 RQJ0301HGDQS-VB 在不同领域和模块中的广泛应用,展示了其在各种电路设计中的灵活性和可靠性。
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