--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23-6封装
- 沟道 2个P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**产品简介:**
RQJ0451FQDQS-VB是VBsemi品牌的P沟道场效应晶体管,具有两个P沟道。该晶体管设计用于中功率电子应用,封装采用SOT23-6,便于安装和布局。具有-20V的漏极-源极电压承受能力和-4A的漏极电流承受能力。在4.5V和12V的栅极-源极电压下,其具有75mΩ的导通电阻(RDS(ON)),阈值电压(Vth)在-1.2V至-2.2V范围内变化。
**详细参数说明:**
- 电压承受能力:-20V
- 漏极电流承受能力:-4A
- 导通电阻(RDS(ON)):
- VGS=4.5V时:75mΩ
- VGS=12V时:75mΩ
- 阈值电压(Vth):-1.2V至-2.2V
- 封装类型:SOT23-6
- 品牌:VBsemi
![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/A3/E0/wKgZomUKYWaAYZxUAAGD-HRAVZo701.png)
**适用领域和模块示例:**
1. **电源管理模块:** 由于RQJ0451FQDQS-VB具有P沟道结构,适用于负载开关电源、反向电池保护、和电池充放电管理等应用。其高电压承受能力和低导通电阻特性使其能够在电源管理模块中实现高效的能量转换和稳定的电流控制。
2. **电池保护电路:** 在便携式设备和电池供电系统中,需要保护电池免受过放电和过充电的损害。RQJ0451FQDQS-VB可以用作电池保护电路中的开关管,确保电池的安全充放电和延长电池寿命。
3. **电动工具控制器:** 在电动工具和电机控制系统中,需要控制电机的开关和反向运动。该型号晶体管可用于电动工具控制器中的功率开关,实现可靠的电机控制和高效的能量转换。
4. **LED照明控制器:** 在LED照明应用中,需要控制LED的亮度和开关。RQJ0451FQDQS-VB可用于LED照明控制器中的功率开关,实现LED灯具的稳定亮度调节和节能控制。
通过以上例子,可以看出RQJ0451FQDQS-VB晶体管在电源管理、电池保护、电动工具和LED照明等领域都具有广泛的应用前景,能够提高系统性能并确保其稳定运行。
为你推荐
-
UT9435-AB105-R-VB一款N—Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-06-24 14:38
产品型号:UT9435-AB105-R-VB 封装:TO263封装 沟道:N—Channel -
UT9435-AB104-R-VB一款N—Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-06-24 14:36
产品型号:UT9435-AB104-R-VB 封装:TO263封装 沟道:N—Channel -
UT9435-AB103-R-VB一款N—Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-06-24 14:35
产品型号:UT9435-AB103-R-VB 封装:TO263封装 沟道:N—Channel -
UT9435-AB102-R-VB一款N—Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-06-24 14:34
产品型号:UT9435-AB102-R-VB 封装:TO263封装 沟道:N—Channel -
UT9435-AB101-R-VB一款N—Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-06-24 14:31
产品型号:UT9435-AB101-R-VB 封装:TO263封装 沟道:N—Channel -
UT9435-AB100-R-VB一款N—Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-06-24 14:30
产品型号:UT9435-AB100-R-VB 封装:TO263封装 沟道:N—Channel -
SUD50P04-40P-E3-VB一款P—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-06-24 14:28
产品型号:SUD50P04-40P-E3-VB 封装:TO252封装 沟道:P—Channel -
SUD50P04-15L-GE3-VB一款P—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-06-24 14:25
产品型号:SUD50P04-15L-GE3-VB 封装:TO252 沟道:P—Channel -
SQD50P04-13L-GE3-VB一款P—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-06-24 14:24
产品型号:SQD50P04-13L-GE3-VB 封装:TO252封装 沟道:P—Channel -
SQD50P04-09L-GE3-VB一款P—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-06-24 14:23
产品型号:SQD50P04-09L-GE3-VB 封装:TO252封装 沟道:P—Channel