### 产品简介
UTT30P04L-TN3-R-VB是VBsemi推出的P-Channel沟道MOSFET，具有-40V的漏极-源极电压承受能力和-65A的漏极电流承受能力。其低导通电阻(RDS(ON))为10mΩ，工作电压范围为10V至20V。封装采用TO252。
### 详细参数说明
- **型号**: UTT30P04L-TN3-R-VB
- **沟道类型**: P-Channel
- **漏极-源极电压(VDSS)**: -40V
- **漏极电流(ID)**: -65A
- **导通电阻(RDS(ON))**: 10mΩ @ VGS=10V; 20V时未提供数据
- **阈值电压(Vth)**: -1.6V
- **封装**: TO252
### 适用领域和模块举例
1. **电源管理**: 由于UTT30P04L-TN3-R-VB具有较大的漏极电流承受能力和低导通电阻，适合用于开关电源、DC-DC转换器等电源管理模块中，可实现高效的功率转换。
2. **电池保护**: 在电池保护电路中，UTT30P04L-TN3-R-VB可用于过放保护，确保电池在过放时电流被截断，保护电池安全。
3. **马达驱动**: 作为马达驱动器的一部分，UTT30P04L-TN3-R-VB可控制马达的通断，用于控制马达的转动方向和速度。
4. **照明应用**: 在LED驱动电路中，UTT30P04L-TN3-R-VB可以用作开关器件，实现对LED灯的亮度调节和开关控制。
5. **汽车电子**: 在汽车电子系统中，UTT30P04L-TN3-R-VB可用于控制车灯、电动窗等电器设备的开关，提高系统的可靠性和效率。
以上仅为UTT30P04L-TN3-R-VB的一些应用领域和模块举例，具体应用取决于具体设计需求和环境。
