--- 产品参数 ---
- 封装 TO252封装
- 沟道 N—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
产品简介:
RQJ0557FQDQS-VB是VBsemi品牌的N-Channel沟道MOSFET,具有200V的额定电压和10A的额定电流。在10V的门极电压下,其导通电阻为245mΩ。该器件采用TO252封装,适用于各种电源管理和功率控制应用。
详细参数说明:
- 通道类型:N-Channel沟道
- 额定电压(VDS):200V
- 额定电流(ID):10A
- 导通电阻(RDS(ON)):245mΩ @ VGS=10V
- 门极电压(VGS):20V
- 门极阈值电压(Vth):3.06V
- 封装类型:TO252
适用领域和模块:
1. **电源管理模块**:RQJ0557FQDQS-VB可广泛应用于各种电源管理模块,如开关电源、稳压器和电池管理系统。其高电压额定值和低导通电阻能够提供高效的电能转换和管理。
2. **LED驱动器**:在LED照明领域,该MOSFET可用于LED驱动器的功率控制和电源管理。其高电流和低导通电阻使其成为LED照明系统中的理想选择。
3. **工业自动化**:可用于工业自动化系统中的电机控制、电源开关和工业设备的功率管理。其稳定性和可靠性适合于各种工业应用的要求。
4. **电动车充电器**:适用于电动车充电器中的功率开关和电源管理功能。其高电压额定值和低导通电阻确保了充电器的高效率和稳定性。
综上所述,RQJ0557FQDQS-VB适用于电源管理模块、LED驱动器、工业自动化和电动车充电器等领域的各种模块和设备。
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