--- 产品参数 ---
- 封装 TO263封装
- 沟道 N—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
UT9435-AB21-R-VB是VBsemi生产的一款高性能N沟道MOSFET,主要应用于高效率和高电流需求的场合。其特点包括低导通电阻、高击穿电压以及优异的开关性能,使其成为电源管理、负载开关和电机控制等领域的理想选择。
### 详细参数说明
- **产品型号**: UT9435-AB21-R-VB
- **丝印**: VBL1615
- **品牌**: VBsemi
- **类型**: N-Channel MOSFET
- **最大击穿电压 (Vds)**: 60V
- **最大连续漏极电流 (Id)**: 75A
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 11mΩ @ VGS=10V
- **栅极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.9V
- **封装**: TO263
![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B6/F9/wKgZomV6XZGAPzBzAALZfQ6uEFY986.png)
### 适用领域和模块举例
1. **电源管理**
- **领域**: 用于DC-DC转换器和同步整流器。
- **模块**: 该MOSFET可以在高效电源管理模块中使用,帮助提高能量转换效率,减少功耗。
2. **负载开关**
- **领域**: 应用于智能手机、平板电脑等便携式设备中的负载开关。
- **模块**: 适用于控制高电流负载的开关模块,确保设备在待机模式下的低功耗表现。
3. **电机控制**
- **领域**: 用于电动车和工业电机的控制电路。
- **模块**: 可在电动车控制器模块中使用,实现高效的电机驱动和速度控制,提高整体系统的性能和可靠性。
UT9435-AB21-R-VB以其卓越的性能和可靠性,适用于各种高要求的应用场景,为设计工程师提供了一个理想的解决方案。
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