### 产品简介：
UT9435-AB218-R-VB是VBsemi品牌的一款N沟道场效应管，丝印为"VBE1203M"，封装为TO252。该器件额定工作电压为200V，最大连续漏极电流为10A。其导通电阻(RDS(ON))在VGS=10V时为245mΩ，阈值电压(Vth)为3.06V。
### 详细参数说明：
- **器件类型**: N-Channel MOSFET
- **额定工作电压**: 200V
- **最大连续漏极电流**: 10A
- **导通电阻(RDS(ON))**: 245mΩ @ VGS=10V
- **门源极阈值电压(Vth)**: 3.06V
- **封装**: TO252
### 适用领域和模块示例：
1. **工业自动化**：用作电机驱动器或电源开关。
2. **电源管理**：适用于开关电源的开关管。
3. **照明**：可用于LED照明系统中的开关电路。
4. **电动车充电器**：适用于电动车充电器中的开关电路。
这些示例仅代表一部分可能的应用领域，具体应用取决于设计要求和环境。
