**VBsemi P-Channel MOSFET SQD50P04-13L-GE3-VB**
- **丝印：** VBE2412
- **品牌：** VBsemi
- **参数：**
- P—Channel沟道
- 额定电压：-40V
- 额定电流：-65A
- 导通电阻（RDS(ON)）：10mΩ @ VGS=10V
- 阈值电压（Vth）：-1.6V
- **封装：** TO252
**产品简介：**
SQD50P04-13L-GE3-VB是VBsemi生产的一款P-Channel沟道的功率MOSFET。它具有高电压、高电流和低导通电阻的特点，适用于各种功率控制和开关应用。
**详细参数说明：**
1. **额定电压（VDS）：** 该MOSFET的额定电压为-40V，适用于负载电源和功率逆变器等应用。
2. **额定电流（ID）：** 具有-65A的额定电流，适用于需要大电流承载能力的负载驱动器和功率开关应用。
3. **导通电阻（RDS(ON)）：** 在VGS=10V时，导通电阻为10mΩ，这有助于降低功率损耗，提高效率。
4. **阈值电压（Vth）：** 阈值电压为-1.6V，使得器件易于控制和驱动。
**适用领域和模块举例：**
1. **电源逆变器：** 用于电动汽车、UPS系统和太阳能逆变器等高功率负载电源逆变应用中。
2. **电机驱动器：** 可用于电动汽车、电动工具和工业机械等负载驱动器中，如马达控制、风扇控制等。
3. **功率开关：** 适用于高功率开关模块，如电源开关、DC-DC转换器和充电器等。
