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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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SUD50P04-40P-E3-VB一款P—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: SUD50P04-40P-E3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO252封装
  • 沟道 P—Channel

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 产品简介:

SUD50P04-40P-E3-VB是VBsemi品牌生产的P沟道场效应管,适用于各种功率电子应用。它具有-40V的漏极-源极电压承受能力和-65A的漏极电流承受能力,是一款高性能的功率器件。其丝印为VBE2412,封装为TO252。

### 参数说明:

- **漏极-源极电压(VDS)**:-40V
- **漏极电流(ID)**:-65A
- **导通电阻(RDS(ON))**:10mΩ @ VGS=10V
- **阈值电压(Vth)**:-1.6V
- **封装类型**:TO252

### 详细参数说明:

1. **漏极-源极电压(VDS)**:指定了器件在导通状态下能够承受的最大电压。对于SUD50P04-40P-E3-VB,这个值为-40V。
 
2. **漏极电流(ID)**:定义了器件在导通状态下能够通过的最大电流。该型号的SUD50P04-40P-E3-VB可承受高达-65A的漏极电流。

3. **导通电阻(RDS(ON))**:描述了器件在导通状态下的电阻大小,直接影响功率损耗和效率。在VGS=10V时,SUD50P04-40P-E3-VB的导通电阻为10mΩ。

4. **阈值电压(Vth)**:指定了沟道导通所需的门极-源极电压。SUD50P04-40P-E3-VB的阈值电压为-1.6V。

### 适用领域和模块举例:

1. **电源管理模块**:SUD50P04-40P-E3-VB可用于开关电源和逆变器模块,以实现高效的功率转换和稳定的电流调节。
 
2. **电机驱动器**:在工业自动化和机器人领域,该器件可以应用于电机控制模块,确保电机运行的稳定性和效率。

3. **电池管理系统**:在电池充放电控制和保护中,SUD50P04-40P-E3-VB可以用于确保电池操作在安全的电流和电压范围内。

4. **电源开关**:该器件可用于电源开关模块中,实现对电路的快速开关和调节,用于各种便携式设备和家用电器。

5. **汽车电子**:适用于汽车电子系统,如电动汽车的电池管理和驱动控制,以提高车辆的性能和效率。

综上所述,SUD50P04-40P-E3-VB在电源管理、电机驱动、电池保护、电源开关和汽车电子等领域和模块中都有广泛的应用。

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