UT9435-AB101-R-VB一款N—Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介：
UT9435-AB101-R-VB 是一款 N-Channel 沟道功率 MOSFET，由 VBsemi 生产。它具有 60V 的漏极-源极电压额定值，最大漏极电流为 75A。在 VGS=10V 和 VGS=20V 时，导通时的导通电阻 RDS(ON) 分别为 11mΩ。该器件的阈值电压 Vth 为 1.9V。封装为 TO263。

### 详细参数：
- **型号:** UT9435-AB101-R-VB
- **丝印:** VBL1615
- **品牌:** VBsemi
- **沟道类型:** N-Channel
- **漏极-源极电压(VDS):** 60V
- **漏极电流(ID):** 75A
- **导通电阻(RDS(ON)):**
 - VGS=10V时: 11mΩ
 - VGS=20V时: 11mΩ
- **阈值电压(Vth):** 1.9V
- **封装:** TO263

### 应用领域和模块示例：
1. **电源管理模块：** 由于其较低的导通电阻和高漏极电流额定值，UT9435-AB101-R-VB 适用于高性能电源管理模块，如 DC-DC 变换器和开关电源。
2. **电机驱动器：** 在电机控制中，这款 MOSFET 可以用作电机驱动器，特别是在需要高电流和高开关速度的应用中。
3. **LED 照明：** 作为 LED 驱动器的一部分，UT9435-AB101-R-VB 可以在 LED 照明应用中提供高效的功率控制。
4. **电动车电源管理：** 对于电动车电源管理单元，这种器件可以用于控制电池电流和功率分配。

这些示例说明了 UT9435-AB101-R-VB 在需要高性能、高功率和高效率的应用中的潜在用途。