### 20N50H TO3P-VB 产品简介
20N50H TO3P-VB 是一款高性能的单 N 沟道 MOSFET，设计用于要求高电压和高电流的应用。采用了 SJ_Multi-EPI 技术，具有较低的导通电阻和高的漏极电流能力，适用于各种高性能电源管理和开关应用。
### 20N50H TO3P-VB 详细参数说明
- **封装类型**: TO3P
- **配置**: 单 N 沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 500V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±30V
- **门限电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 210mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 18A
- **技术类型**: SJ_Multi-EPI
### 应用领域和模块举例
**工业电源**:
20N50H TO3P-VB 适用于工业电源系统中的高压开关和逆变器。其高漏极电流能力和低导通电阻确保了在高负载条件下的稳定性和效率。
**电动车充电器**:
在电动车充电器中，该产品可用于开关电源和 DC-DC 转换器。其高额定电压和电流能够满足电动车充电器对高性能组件的要求。
**太阳能逆变器**:
20N50H TO3P-VB 适用于太阳能逆变器中的高压开关。其优秀的热特性和可靠性确保了在各种环境条件下的稳定运行。
**医疗设备**:
在医疗设备中，该产品可用于高性能电源管理模块和电动机控制。其高可靠性和稳定性使其成为医疗设备制造商的理想选择。
20N50H TO3P-VB 通过在各种高压高性能应用中的广泛应用，展示了其作为高性能 MOSFET 的优越性能，为工程师提供了一种可靠的解决方案。
