### 一、产品简介
**443M-VB MOSFET**
The 443M-VB is a high-performance P-Channel MOSFET designed for efficient power management in various applications. Packaged in a SOT23-6, this model features advanced Trench technology, providing low on-resistance and high current-handling capabilities. With a drain-source voltage (VDS) rating of -30V and a continuous drain current (ID) of -4.8A, the 443M-VB is ideal for applications requiring high power and reliability in a P-Channel configuration.
### 二、详细的参数说明
- **Package**: SOT23-6
- **Configuration**: Single-P-Channel
- **Drain-Source Voltage (VDS)**: -30V
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20V
- **Threshold Voltage (Vth)**: -1.7V
- **On-Resistance (RDS(ON))**:
- 54mΩ @ VGS = 4.5V
- 49mΩ @ VGS = 10V
- **Continuous Drain Current (ID)**: -4.8A
- **Technology**: Trench
### 三、适用领域和模块举例
**领域**
1. **移动设备**: 443M-VB 可用于移动设备中的功率管理模块，如充电管理、电池管理等，提供高效的电源管理和稳定的输出。
2. **汽车电子**: 在汽车电子系统中，该器件可用于各种控制模块，提供高效的电力控制和稳定的电源输出。
3. **工业自动化**: 在工业自动化领域中，该器件可用于各种控制和驱动模块，提供可靠的电力传输和控制功能。
**模块**
1. **电池管理模块**: 在各种电池管理系统中，提供高效的充电和放电控制，延长电池寿命。
2. **DC-DC转换器模块**: 在各种DC-DC转换器中，提供高效的能量转换和稳定的输出。
3. **电机驱动模块**: 在各种电机控制系统中，提供高功率和可靠性的电力传输和控制。
443M-VB 适用于各种需要P-Channel功率控制的高功率应用，具有高功率和可靠性，是现代电子系统中的理想选择。
