### 产品简介
**型号：** 4501GD-VB
**封装：** DIP8
**配置：** 双N+P沟道MOSFET
**主要参数：**
- 漏源电压 (VDS)：±30V
- 栅源电压 (VGS)：±20V
- 阈值电压 (Vth)：±1V
- 导通电阻 (RDS(ON))：30mΩ @ VGS=4.5V，25mΩ @ VGS=10V
- 漏极电流 (ID)：7.2A（N沟道），-5A（P沟道）
- 技术：Trench（沟槽型）
### 详细参数说明
| 参数名称 | 参数值 |
|-----------------|--------------------|
| 漏源电压 (VDS) | ±30V |
| 栅源电压 (VGS) | ±20V |
| 阈值电压 (Vth) | ±1V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 30mΩ @ VGS=4.5V |
| | 25mΩ @ VGS=10V |
| 漏极电流 (ID) | 7.2A (N沟道) |
| | -5A (P沟道) |
| 功率耗散 (Ptot) | 2W |
| 输入电容 (Ciss) | 5500pF |
| 输出电容 (Coss) | 1200pF |
| 反向传输电容 (Crss) | 900pF |
| 开启时间 (ton) | 15ns |
| 关断时间 (toff) | 50ns |
| 工作温度范围 (Tj) | -55°C ~ 150°C |
| 封装类型 | DIP8 |
### 应用领域和模块举例
1. **电源管理**：4501GD-VB适用于低压电源管理系统，如便携式电子设备、充电器和电池保护模块等，提供高效的电能转换和稳定的电源输出。
2. **驱动器**：在电机驱动器中，这款MOSFET可用于电机控制和功率开关模块，提供高效的功率转换和精确的电机控制。
3. **逆变器**：在逆变器和变频器中，这款MOSFET可以用于功率开关和电源调节器等模块，确保系统的高效率和可靠性。
4. **汽车电子**：在汽车电子领域，这款MOSFET可用于汽车电源管理系统、照明控制和电动车辆的电机驱动系统等，提供高效的功率转换和安全性。
5. **DC-DC转换器**：适用于DC-DC转换器的电源管理模块，确保系统的高效率和可靠性。
通过这些应用领域和模块的具体例子，可以看出4501GD-VB DIP8 MOSFET因其双通道设计和高功率的特性在多个领域中得到了广泛应用。
