--- 产品参数 ---
- 封装 TO247封装
- 沟道 N-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 24N50-VB 产品简介
24N50-VB 是一款高压高功率单 N-沟道 MOSFET,采用 SJ_Multi-EPI 技术,封装形式为 TO247。具有较低的导通电阻和较高的漏极电流承载能力,适用于需要高效能量转换和电流控制的应用。
### 24N50-VB 详细参数说明
- **封装**: TO247
- **配置**: 单 N-沟道
- **VDS**: 500V
- **VGS**: ±30V
- **Vth (阈值电压)**: 3.8V
- **RDS(ON)**: 80mΩ @ VGS = 10V
- **ID (漏极电流)**: 40A
- **技术**: SJ_Multi-EPI
### 24N50-VB 应用领域和模块示例
1. **电源管理**
- **电力逆变器**: 24N50-VB 可用于电力逆变器中的功率开关,实现对电能的高效转换和控制。
2. **电机驱动**
- **工业电机驱动**: 在工业电机驱动系统中,24N50-VB 可用于电机控制器,提供高效的电能转换和精确的速度控制。
3. **电力调节**
- **变压器调节**: 24N50-VB 可用于变压器调节系统中的功率开关,实现对电力的精确调节和控制。
4. **电力传输**
- **电力输电系统**: 在电力输电系统中,24N50-VB 可用于电力开关和控制,确保电力传输的稳定和高效。
5. **太阳能逆变器**
- **光伏逆变器**: 在光伏逆变器中,24N50-VB 可用于逆变器的功率开关,实现太阳能电能的高效转换和利用。
24N50-VB 在电源管理、电机驱动、电力调节、电力传输和光伏逆变器等领域展现了其高压高功率的优势和可靠性,为各种高功率应用提供了高效能量转换和电流控制的解决方案。
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