### 一、25N80K5-VB产品简介
25N80K5-VB是VBsemi公司推出的一款单N沟道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于高压和中电流的应用。该器件具有低导通电阻和高可靠性，适用于各种功率控制和开关电路。
### 二、25N80K5-VB详细参数说明
- **型号：** 25N80K5-VB
- **封装类型：** TO220F
- **配置：** 单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)：** 800V
- **栅极-源极电压 (VGS)：** ±30V
- **栅极阈值电压 (Vth)：** 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))：** 205mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)：** 20A
- **技术：** SJ_Multi-EPI
### 三、25N80K5-VB的应用领域和模块示例
25N80K5-VB MOSFET适用于以下领域和模块：
1. **电源供应：** 在高压电源供应模块中，25N80K5-VB可用于开关电源和逆变器，能够处理高电压和中等电流，提供稳定的电力输出。
2. **电动工具：** 在工业电动工具和机械中，25N80K5-VB可用于电机驱动控制，提供中等功率输出和稳定性能。
3. **太阳能逆变器：** 在太阳能电池系统中，25N80K5-VB可用于逆变器模块，实现太阳能电能的转换和利用。
4. **医疗设备：** 在医疗设备中，25N80K5-VB可用于电源控制和开关模块，提供稳定的功率输出和可靠的性能。
5. **电动车辆充电桩：** 在电动汽车充电桩中，25N80K5-VB可用于功率控制和稳定电源模块，为电动车辆充电提供可靠的电力支持。
通过以上示例，可以看出25N80K5-VB在高压和中电流处理能力要求的各种应用中发挥着重要作用，为这些应用提供了可靠的电力控制和开关功能。
