### 一、产品简介
2601NZ-VB 是 VBsemi 生产的一款双N沟道MOSFET，封装为TSSOP8，具有共源极（Common Drain）结构，适用于低压、中功率的电源开关和放大器等应用。采用沟槽技术（Trench），具有低导通电阻和高电流能力。
### 二、详细参数说明
- **型号**：2601NZ-VB
- **封装**：TSSOP8
- **配置**：共源极双N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**：30V
- **栅源极电压 (VGS)**：20（±V）
- **阈值电压 (Vth)**：1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：19mΩ @ VGS=4.5V，12mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：8.6A
- **技术**：沟槽技术（Trench）
### 三、应用领域和模块示例
1. **音频放大器**：2601NZ-VB 可以用作音频放大器的关键部件，提供高保真的音频信号放大。
2. **电源开关**：在低压电源开关中，该MOSFET可以用于高效能的功率开关和电流控制。
3. **LED驱动**：在LED照明系统中，该MOSFET可以用于LED驱动电路，提供稳定的电流控制和功率开关。
4. **电池管理**：在需要对锂电池进行充放电控制的系统中，2601NZ-VB 可以作为开关元件使用，保护电池不受过充、过放电的影响。
5. **便携式设备**：在便携式设备如笔记本电脑和平板电脑中，该MOSFET可以用于电源管理IC，提供高效的电源分配和保护。
综上所述，2601NZ-VB 在低压、中功率应用领域有着广泛的应用前景，具有稳定可靠的性能和高效的电能转换能力。
