### 一、4435GH-VB TO252 产品简介
4435GH-VB 是一款单 P 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装。具有 -30V 的漏极-源极电压（VDS），并具有 ±20V 的栅极-源极电压（VGS）耐受能力。该器件采用 Trench 技术，具有较低的导通电阻和中等电流承载能力，适用于需要中等功率和中等电压的应用场合。
### 二、4435GH-VB TO252 详细参数说明
- **封装类型**：TO252
- **管脚配置**：单 P 沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**：-30V
- **栅极-源极电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：-1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 25mΩ@VGS=4.5V
- 18mΩ@VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：-40A
- **技术**：Trench
### 三、4435GH-VB TO252 适用领域和模块示例
1. **电源管理模块**
- **领域**：电源管理
- **应用**：用于设计电源管理模块，如开关电源和线性稳压器，以提供稳定的电压和电流给各种电子设备。
2. **电池保护模块**
- **领域**：便携式电子设备
- **应用**：适用于设计电池保护模块，保护电池免受过充和过放的损害，提高电池的使用寿命。
3. **负载开关**
- **领域**：消费电子
- **应用**：适用于各种消费电子产品中的负载开关，例如电视、音响设备和家用电器，提供高效的功率传输和低功耗性能。
