### 产品简介
4436M-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 SOP8 封装，适用于低压、中功率的开关和放大应用。具有低导通电阻、适中的电流容载和高效的能量转换能力。
### 详细的参数说明
- **型号**：4436M-VB
- **封装**：SOP8
- **配置**：单 N 沟道
- **击穿电压 (VDS)**：20V
- **栅极电压 (VGS)**：±12V
- **阈值电压 (Vth)**：0.5~1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 8mΩ @ VGS = 2.5V
- 6mΩ @ VGS = 4.5V
- **漏极电流 (ID)**：15A
- **技术**：Trench
### 适用领域和模块
4436M-VB MOSFET 适用于各种低压、中功率的开关和放大应用。以下是一些具体的应用实例：
1. **移动设备充电**：
- 在手机、平板电脑等移动设备的充电模块中使用，提供高效、稳定的充电功能。
2. **电源开关**：
- 适用于各种电源开关模块，如 LED 灯带控制、电源适配器等，提供可靠的功率开关功能。
3. **电池管理**：
- 用于各种电池管理模块，提供电池充放电控制和保护功能。
4. **汽车电子**：
- 在汽车电子系统中的低压、中功率模块中使用，如车灯控制、车载充电器等，确保系统的稳定运行和高效能量转换。
5. **工业自动化**：
- 适用于工业控制系统中的低压、中功率开关模块，提供可靠的电流开关和保护功能，确保系统的稳定性和安全性。
4436M-VB MOSFET 的低压特性和中功率能力使其在上述应用中表现出色，能够提供可靠的性能和高效的电能转换。
