--- 产品参数 ---
- 封装 TO252封装
- 沟道 TO252
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
2SK375-VB是一款单N沟道功率MOSFET,采用TO252封装。具有650V的漏源电压和2A的漏极电流,适用于低功率应用。采用Plannar技术,具有稳定的性能和可靠性。
### 详细参数说明
- **型号**: 2SK375-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 650V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 3440mΩ @ VGS=4.5V, 4300mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 2A
- **技术**: Plannar
### 应用领域和模块示例
1. **电源管理模块**:适用于低功率的开关电源、DC-DC转换器和逆变器等电源管理模块。其稳定的性能和低漏电流特性能够确保模块的高效能量转换。
2. **LED驱动器**:可用于LED照明驱动器中的功率控制部分,提供可靠的功率输出和效率,适用于家庭照明和商业照明等场景。
3. **消费电子**:适用于低功率消费电子产品,如电视机、音响设备和电子游戏机等,提高设备的能效和性能。
4. **工业控制**:可用于工业控制系统中的电机控制、传感器接口和电源管理等部分,提供可靠的功率控制和保护功能。
5. **电池管理**:适用于电池管理系统中的充放电控制和保护,确保电池的安全和稳定性。
2SK375-VB适用于多种低功率应用,为各种电子系统提供可靠的功率控制和管理解决方案。
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